事關(guān)EUV光刻技術(shù) 華為公布新專利

近日,據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)消息,華為技術(shù)有限公司于11月15日公布了一項(xiàng)于光刻技術(shù)相關(guān)的專利,專利申請?zhí)枮?02110524685X。

集成電路制造中,光刻覆蓋了微納圖形的轉(zhuǎn)移、加工和形成環(huán)節(jié),決定著集成電路晶圓上電路的特征尺寸和芯片內(nèi)晶體管的數(shù)量,是集成電路制造的關(guān)鍵技術(shù)之一。

隨著半導(dǎo)體工藝向7nm及以下節(jié)點(diǎn)的推進(jìn),極紫外(extreme ultraviolet,EUV)光刻成為首選的光刻技術(shù)。

相關(guān)技術(shù)的EUV光刻機(jī)中采用強(qiáng)相干光源在進(jìn)行光刻時(shí),相干光經(jīng)照明系統(tǒng)分割成的多個(gè)子光束具有固定的相位關(guān)系,當(dāng)這些子光束投射在掩膜版上疊加時(shí)會形成固定的干涉圖樣,出現(xiàn)有明暗變化、光強(qiáng)不均勻的問題,因此,必須先進(jìn)行去相干處理(或者采用避免相干影響),達(dá)到勻光效果,以保證光刻工藝的正常進(jìn)行。

據(jù)披露,該專利申請?zhí)峁┮环N反射鏡、光刻裝置及其控制方法,涉及光學(xué)領(lǐng)域,能夠解決相干光因形成固定的干涉圖樣而無法勻光的問題,在極紫外光的光刻裝置基礎(chǔ)上進(jìn)行了優(yōu)化,進(jìn)而達(dá)到勻光的目的。

該光刻裝置包括相干光源1、反射鏡2(也可以稱為去相干鏡)、照明系統(tǒng)3。其中,反射鏡2可以進(jìn)行旋轉(zhuǎn);例如,可以在光刻裝置中設(shè)置旋轉(zhuǎn)裝置,反射鏡2能夠在旋轉(zhuǎn)裝置的帶動下發(fā)生旋轉(zhuǎn),如下圖所示。

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在該光刻裝置中,相干光源1發(fā)出的光線經(jīng)旋轉(zhuǎn)的反射鏡2的反射后,通過照明系統(tǒng)3分割為多個(gè)子光束并投射至掩膜版4上,以進(jìn)行光刻。

另外,在光刻裝置中,上述照明系統(tǒng)3作為重要組成部分,其主要作用是提供高均勻性照明(勻光)、控制曝光劑量和實(shí)現(xiàn)離軸照明等,以提高光刻分辨率和增大焦深。述照明系統(tǒng)3的勻光功能可以是通過科勒照明結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)。

該照明系統(tǒng)3包括視場復(fù)眼鏡31(field flyeye mirror,F(xiàn)FM)、光闌復(fù)眼鏡 32(diaphragm flyeye mirror,PFM)、中繼鏡組33;

其中,中繼鏡組33通常可以包括兩個(gè)或者兩個(gè)以上的中繼鏡。照明系統(tǒng)3通過視場復(fù)眼鏡31將來自相干光源 1 的光束分割成多個(gè)子光束,每個(gè)子光束再經(jīng)光闌復(fù)眼鏡32進(jìn)行照射方向和視場形狀的調(diào)整,并通過中繼鏡組33進(jìn)行視場大小和 / 或形狀調(diào)整后,投射到掩膜版4的照明區(qū)域。

通過在相干光源1與照明系統(tǒng)3之間的光路上設(shè)置反射鏡2,在此情況下,相干光源1發(fā)出的光線經(jīng)旋轉(zhuǎn)的反射鏡2反射后相位不斷發(fā)生變化。

這樣一來,在經(jīng)反射鏡2反射后的光線通過照明系統(tǒng)3分割為多個(gè)子光束并投射至掩膜版4上時(shí),形成在掩膜版4的照明區(qū)域的干涉圖樣不斷變化,從而使得照明視場在曝光時(shí)間內(nèi)的累積光強(qiáng)均勻化,從而達(dá)到勻光的目的,進(jìn)而也就解決了相關(guān)技術(shù)中因相干光形成固定的干涉圖樣而無法勻光的問題。


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2022-11-28
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