2月28日消息（水易）據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局，華為技術(shù)有限公司近日公開一項(xiàng)光芯片及其制備方法、通信設(shè)備發(fā)明專利，申請(qǐng)公布號(hào)為：CN117616316A，該專利申請(qǐng)日期為2021年9月18日。
據(jù)介紹，本申請(qǐng)的實(shí)施例提供一種光芯片及其制備方法、通信設(shè)備，涉及光通信技術(shù)領(lǐng)域，解決現(xiàn)有的光芯片中光波導(dǎo)在制備過程中尖端易斷裂的問題。
該光芯片包括襯底和設(shè)置在襯底上的第一介質(zhì)層；第一介質(zhì)層包括第一通孔；光芯片還包括填充在第一通孔內(nèi)的光波導(dǎo)和第二介質(zhì)層；其中，光波導(dǎo)在襯底上的投影呈條狀，光波導(dǎo)包括第一子光波導(dǎo)，第一子光波導(dǎo)在襯底上的投影的至少部分的寬度逐漸減?。还獠▽?dǎo)與第一通孔的側(cè)壁和第二介質(zhì)層的另一側(cè)面均接觸，第二介質(zhì)層的側(cè)面還與第一通孔的另一側(cè)壁接觸。
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