～有助于進一步減少白色家電和小型工業(yè)設(shè)備的功耗和設(shè)計工時～
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)新開發(fā)出四款兼具出色的降噪和低損耗特性的600V耐壓IGBT IPM*1(Intelligent Power Module)“BM6437x系列”,該系列產(chǎn)品可內(nèi)置于空調(diào)、洗衣機等白色家電和小型工業(yè)設(shè)備(如工業(yè)用機器人用的小容量電機等)中,且非常適用于各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換。
近年來,隨著物聯(lián)網(wǎng)的普及,白色家電和工業(yè)設(shè)備的自動化進程加速,使得產(chǎn)品的功耗不斷增加,為了有效利用有限的地球資源和電力,對進一步降低功耗的需求不斷提高,與此同時,對于負責功率轉(zhuǎn)換工作的功率半導(dǎo)體之一IGBT以及配備了IGBT的模塊,也提出了進一步降低功耗的要求。
另一方面,在IGBT IPM的開發(fā)中,為了降低功耗通常會優(yōu)先考慮低損耗,致使產(chǎn)品噪聲特性惡化的情況較多,這就需要改善噪聲特性。
在這種情況下,ROHM新開發(fā)出四款可同時降低輻射噪聲和功率損耗、并在這兩方面均實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)超高特性的IGBT IPM系列產(chǎn)品。
此次開發(fā)的新產(chǎn)品通過優(yōu)化內(nèi)置FRD(Fast Recovery Diode,快速恢復(fù)二極管)的軟恢復(fù)性能和內(nèi)置IGBT,與普通產(chǎn)品相比,輻射噪聲降低6dB以上(峰值比較時),這使得削減以往所需的噪聲濾波器成為可能。此外,還配備了已實現(xiàn)更低損耗的最新IGBT元件,與ROHM以往產(chǎn)品相比,新產(chǎn)品的功率損耗降低了6%(fc=15kHz時),已達到業(yè)界超高水平,有助于降低各種應(yīng)用設(shè)備的功耗。并且,該系列產(chǎn)品還顯著改善了溫度監(jiān)控功能,實現(xiàn)了±2%(相當于2℃)的高精度,這使得削減以往高精度溫度監(jiān)控器所需的外置熱敏電阻數(shù)量同樣成為可能,有助于減少元器件數(shù)量和設(shè)計工時。不僅如此,此次的新產(chǎn)品還新增了安裝在電路板上之后的產(chǎn)品識別功能,有助于防止誤裝。
本系列產(chǎn)品已于2021年1月開始暫以月產(chǎn)10萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)(樣品價格 3,000日元/個,不含稅),可從AMEYA360、SEKORM電商平臺購買,1枚起售。
未來,ROHM將繼續(xù)擴充本系列產(chǎn)品的陣容,同時推進車載級產(chǎn)品的開發(fā),助力進一步降低功耗和減少設(shè)計工時,并為解決環(huán)境保護等社會問題貢獻力量。
<新產(chǎn)品特點>
1. 同時實現(xiàn)業(yè)內(nèi)出色的降噪特性和低損耗特性
通過優(yōu)化內(nèi)置FRD的軟恢復(fù)性能和內(nèi)置IGBT,使輻射噪聲比普通產(chǎn)品低6dB以上(比較峰值時)。其業(yè)內(nèi)出色的噪聲特性,使得削減以往所需的噪聲濾波器成為可能。此外,通過內(nèi)置ROHM最新的IGBT元件,降低了導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,與以往產(chǎn)品相比,功率損耗降低6%(fc=15kHz時)。因其在業(yè)內(nèi)具有超高特性,從而有助于降低各種設(shè)備的功耗。
2. 溫度監(jiān)控功能的精度顯著提高,使削減外置熱敏電阻成為可能
相比普通產(chǎn)品±5%(相當于5℃)(90℃時)的溫度監(jiān)控功能保證,新產(chǎn)品的精度大大改善,可達到與熱敏電阻同等的保證精度±2%(相當于2℃)(同樣90℃時) 。這使得削減以往高精度溫度監(jiān)控器所需的外置熱敏電阻數(shù)量成為可能,從而有助于減少元器件數(shù)量和設(shè)計工時。
3. 具備安裝于電路板后的產(chǎn)品識別功能,可防止誤裝
作為新功能,新產(chǎn)品增加了產(chǎn)品識別功能。通常,產(chǎn)品名稱會印在模塑表面上,以往在電路板上安裝后很難進行確認,但是本系列新產(chǎn)品可以通過阻抗測量儀識別已安裝到電路板上的產(chǎn)品,有助于防止封裝相同的其他公司產(chǎn)品和電流值不同的產(chǎn)品誤裝。
<產(chǎn)品陣容>
<應(yīng)用示例>
■空調(diào)、洗衣機和冰箱等白色家電用的變頻器
■工業(yè)機器人中的小容量電機等小型工業(yè)設(shè)備用的變頻器
■其他進行變頻器控制的配備壓縮機或電機的應(yīng)用等
<術(shù)語解說>
*1) IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極晶體管)
同時具有MOSFET的高速開關(guān)特性和雙極晶體管的低導(dǎo)通損耗特性的功率晶體管。
IGBT IPM(Intelligent Power Module的縮寫)
配有非常適合IGBT器件的專用驅(qū)動電路,并集成了具有自我保護等功能的高性能模塊。
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