智能手機漲價潮背后 全球存儲器競爭格局生變

（原標題：智能手機史上首次漲價潮背后 全球存儲器競爭格局生變）

存儲器漲價從2016年下半年開始，根據(jù)IC　Insights的預計，2017年內(nèi)存（DRAM）價格漲幅將達到39%，閃存（Flash）漲幅也有望達到25%。這是由于需求增長和供給收縮。一方面，國產(chǎn)品牌手機出貨量持續(xù)增長，以及新一代iPhone產(chǎn)品推出，存儲器產(chǎn)能正被大量消耗；另一方面，以三星、海力士為代表的企業(yè)正投入一場存儲器創(chuàng)新競賽，將二維閃存（2D　NAND　Flash）轉(zhuǎn)移至三維閃存（3D　NAND　Flash）的技術(shù)革命，這導致產(chǎn)能增長放緩。

這是一個得存儲器者得天下的時代。存儲器被普遍稱為“半導體產(chǎn)業(yè)的皇冠”。如今正成為手機、電腦等產(chǎn)品硬件配置升級的重要賣點。在全球存儲器市場的寡頭競爭中，隨著存儲器價格攀升，三星成為最大贏家，一路高歌猛進，而由此巨虧的東芝（Toshi-ba）半導體卻陷入尷尬境地。同時，漲價侵蝕著原本競爭激烈、利潤微薄的智能手機產(chǎn)業(yè)，一路打價格戰(zhàn)的智能手機企業(yè)橫迎來史上首次漲價潮。

在這樣的格局中，國產(chǎn)存儲器正在南京、武漢、晉江三地建構(gòu)著三足鼎立之勢。國家已經(jīng)下定決心發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)，通過自主研發(fā)關(guān)鍵技術(shù)與引入半導體巨頭，在全球存儲器產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵時刻，能否實現(xiàn)“彎道超車”？

寡頭格局

存儲器是幾乎所有電子產(chǎn)品的關(guān)鍵元器件，承擔著信息記憶的功能。半導體存儲器按照產(chǎn)品類型可分為內(nèi)存（DRAM）和閃存（Flash）兩大類。電子產(chǎn)品斷電后，DRAM儲存的數(shù)據(jù)會自動消失，F(xiàn)lash則不會消失，存儲的數(shù)據(jù)會保留下來，供下次使用。

DRAM常見的產(chǎn)品形態(tài)主要是內(nèi)存條，F(xiàn)lash在生活中隨處可見，主要包括micro　SD卡、UFS（通用閃存存儲）、EMMC（嵌入式多媒體存儲卡）、U盤、SSD（固態(tài)硬盤）等。存儲器應(yīng)用領(lǐng)域十分廣泛，覆蓋范圍從消費電子到工業(yè)、汽車、航空航天、軍事、醫(yī)療等各個領(lǐng)域。

存儲器屬于半導體三大產(chǎn)品類別之一，市場規(guī)模巨大，約占全球半導體總產(chǎn)值的23%。數(shù)據(jù)顯示，2015年全球 DRAM產(chǎn)值約450億美元，全球NAND閃存市場規(guī)模約為300億美元，DRAM和NAND閃存總產(chǎn)值在全球半導體存儲器產(chǎn)業(yè)的比重高達95%。同時，存儲器是標準化的產(chǎn)品，從歷史上看，存儲器產(chǎn)業(yè)隨著庫存、需求、產(chǎn)能等因素變化具有明顯的周期性，而且存儲器毛利率隨著行業(yè)周期性波動而劇烈變動。

關(guān)鍵的是，存儲器產(chǎn)業(yè)的高度集中下，全球呈現(xiàn)寡頭競爭格局。DRAM的主要市場玩家有限，主要包括三星、SK海力士、美光等企業(yè)，韓國目前為全球第一大存儲器制造國。根據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)，截至2016年三季度，全球NAND　Flash市場份額分布為三星（37%）、東芝（20%）、閃迪（17%）、美光（10%）、海力士（10%）、英特爾（6%），全球DRAM市場份額分布為三星（50.2%）、海力士（24.8%）、美光（18.5%）、南亞（3.1%）、華邦電子（1.7%）、力晶科技（0.6%）、其他（1.2%）。內(nèi)存模組廠商包括金士頓、美光等，金士頓是全球第一大內(nèi)存模組廠商，2015年市占率高達68%。

隨著文字、圖片、語音、視頻等多種類型的數(shù)據(jù)呈現(xiàn)爆發(fā)式增長，存儲器在消費電子產(chǎn)品中的地位越來越重要，同時也是手機、電腦等產(chǎn)品硬件配置升級的重要賣點。目前筆記本電腦內(nèi)存容量一般為2G～16G，閃存容量為64G～512G，智能手機內(nèi)存容量為2G～8G，閃存容量為16G～256G。同一個廠家推出的同一款智能手機僅僅因為存儲器容量的不同，價格可能相差數(shù)百元到一兩千元。由此可見存儲器對消費電子產(chǎn)品的重要性。

從半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展史看，在上個世紀，存儲器產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了從美國到日本再到韓國的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移過程。存儲器最早起源于美國，20世紀50年代美國開發(fā)出全球首個DRAM芯片，美國曾在DRAM領(lǐng)域長期保持領(lǐng)頭羊的地位。為了集中力量發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)，日本政府在70年代中期聯(lián)合日立、東芝、富士通等五家日本最大的計算機公司成立超大規(guī)模集成電路研究協(xié)會，到80年代中期日本存儲器產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)趕超美國 。韓國存儲器產(chǎn)業(yè)以三星為代表，三星從20世紀80年代初期進入集成電路產(chǎn)業(yè)，在國外的技術(shù)授權(quán)許可下，通過10年的自主研發(fā)創(chuàng)新和不懈努力，在1994年成為全球第一的內(nèi)存制造商和第七大半導體制造商。

漲價背后

2016年下半年開始，存儲器市場出現(xiàn)供需缺口，需求量持續(xù)增長。智能手機和服務(wù)器市場對內(nèi)存和SSD需求旺盛，特別是國產(chǎn)品牌手機出貨量持續(xù)大幅增長，新一代iPhone產(chǎn)品的推出，需要消耗大量的存儲器產(chǎn)能，同時數(shù)據(jù)中心建設(shè)帶動服務(wù)器用存儲器持續(xù)增長，固態(tài)硬盤在PC中替代機械硬盤也增加了對NAND閃存的需求。

供給持續(xù)收縮。三星、海力士等企業(yè)正逐步將2D　NAND　Flash（二維閃存）轉(zhuǎn)移至3D　NAND　Flash（三維閃存），2D　NAND　Flash基本停止擴產(chǎn)。3D　NAND　Flash作為一種新興的存儲器，擴產(chǎn)需要較長時間，閃存產(chǎn)能增長幅度放緩。全球主要閃存廠商的3D　NAND　Flash目前產(chǎn)出超過NAND閃存產(chǎn)量的一半。目前DRAM生產(chǎn)工藝微縮進入到20納米節(jié)點，工藝制程繼續(xù)微縮、良率提升的難度急劇上升，經(jīng)濟效益不好，因此，各大DRAM廠對先進技術(shù)開發(fā)、資本支出持保守態(tài)度，DRAM總體產(chǎn)能增長大幅放緩，DRAM供給相對穩(wěn)定。預計到2018年，隨著3D　NAND　Flash產(chǎn)能和良率不斷提升以及新增產(chǎn)能陸續(xù)投產(chǎn)，存儲器供應(yīng)緊張局面有望緩解。

這一輪漲價或改變?nèi)虼鎯ζ鞲偁幐窬帧Ｈ浅蔀榇鎯ζ鳚q價的最大贏家，三星有望在2017年超越英特爾，成為全球半導體龍頭。從去年三季度以來，存儲器漲價扭轉(zhuǎn)了三星在Note　7手機大量召回帶來的不利局面。根據(jù)IC　In-sights的數(shù)據(jù)，今年二季度，存儲器持續(xù)漲價推動三星半導體部門營收創(chuàng)出新高，有望達到149億美元，高于英特爾的144億美元（預估值）。我們預計三星在未來很長一段時間將主導全球存儲市場的定價權(quán)。

與三星半導體高歌猛進不同的是，東芝（Toshiba）半導體業(yè)務(wù)發(fā)展陷入了尷尬境地。東芝公司的2016年財報顯示，公司在美國發(fā)展的核電業(yè)務(wù)出現(xiàn)了巨虧。為扭轉(zhuǎn)不利局面，東芝管理層欲出售半導體閃存業(yè)務(wù)。業(yè)界認為，東芝閃存業(yè)務(wù)售價將在180億美元以上。目前，博通（Broadcom）、臺灣鴻海、SK海力士以及西部數(shù)據(jù)（WD）等公司都對競購表示出了濃厚興趣。更新的消息是，蘋果和亞馬遜將聯(lián)手臺灣鴻海競購東芝半導體業(yè)務(wù)。

究竟花落誰家，或許6月中下旬市場就會給出答案。這也反映出，在全球范圍內(nèi)，半導體閃存資產(chǎn)仍是一塊炙手可熱的香餑餑。

漲價對下游智能手機和PC廠商來說十分不利。存儲器漲價大幅增加了智能手機和PC廠商的成本，特別是存儲器成本占比相對較高的中低端智能手機，侵蝕了競爭激烈、利潤微薄的智能手機產(chǎn)業(yè)，PC廠商則面臨PC出貨下滑與存儲器供給嚴重不足的雙重壓力。

目前部分智能手機已經(jīng)漲價，幅度在100～500元不等，改變了智能手機以前一直降價的歷史。蘋果新機型6月初正式進入量產(chǎn)，服務(wù)器市場對存儲器需求持續(xù)增長，國產(chǎn)品牌手機進入銷售旺季，這些因素均加劇了存儲器的供應(yīng)緊張程度，部分智能手機廠商拿貨可能延遲甚至短期內(nèi)拿不到貨。根據(jù)IC　Insights的預計，2017年DRAM價格漲幅將達到39%，閃存（Flash）漲幅也有望達到25%。對PC廠商而言，SSD取代普通硬盤是趨勢，PC行業(yè)近年來增速放緩，訂單不穩(wěn)定也導致存儲器廠商不太愿意投入資源在PC用存儲器上。

中國存儲器產(chǎn)業(yè)起步較晚，我國作為全球最重要的存儲器市場，在國家產(chǎn)業(yè)政策扶持以及大量資本投入的背景下，通過自主研發(fā)關(guān)鍵技術(shù)與引入半導體巨頭，有望實現(xiàn)存儲器產(chǎn)業(yè)的“彎道超車”，在全球競爭中占有一席之地。

目前已形成南京、武漢、晉江三足鼎立之勢。國內(nèi)存儲器目前主要依靠進口，根據(jù)電子信息產(chǎn)業(yè)網(wǎng)的數(shù)據(jù)，我國每年進口的存儲器金額約為600億美元。為此，國家下定決心發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)。2016年7月，紫光控股、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北國芯產(chǎn)業(yè)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）和湖北省科技投資集團共同出資240億美元成立了長江存儲。長江存儲主要從事3D　NAND　Flash的芯片與制造，旗下?lián)碛腥Y子公司武漢新芯。武漢新芯成立于2006年，2008年開始量產(chǎn)，擁有12英寸集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力，其閃存與影像傳感器制造技術(shù)位居世界前列，并且布局了物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，同時從事SOC、三維集成、MCU平臺等工藝技術(shù)的研發(fā)與生產(chǎn)。

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