臺(tái)積電3nm工藝計(jì)劃每平方毫米集成2.5億晶體管 2022年大規(guī)模量產(chǎn)

4月20日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,在芯片工藝方面走在行業(yè)前列的代工商臺(tái)積電,已順利大規(guī)模量產(chǎn)5nm工藝,良品率也比較可觀。

在5nm工藝量產(chǎn)之后,臺(tái)積電工藝研發(fā)的重點(diǎn)就將是3nm和更先進(jìn)的工藝。對(duì)于3nm工藝,外媒的報(bào)道顯示,臺(tái)積電是計(jì)劃每平方毫米集成2.5億個(gè)晶體管。

臺(tái)積電在3nm工藝方面已研發(fā)多年,多年前就在開(kāi)始籌備量產(chǎn)事宜。臺(tái)積電創(chuàng)始人張忠謀在2017年的10月份,也就是在他退休前8個(gè)月的一次采訪中,曾談到3nm工廠,當(dāng)時(shí)他透露采用3nm工藝的芯片制造工廠計(jì)劃在2022年建成,保守估計(jì)建成時(shí)可能會(huì)花費(fèi)150億美元,最終可能會(huì)達(dá)到200億美元。

而在去年10月份的報(bào)道中,外媒表示臺(tái)積電生產(chǎn)3nm芯片的工廠已經(jīng)開(kāi)始建設(shè),工廠占地50到80公頃,預(yù)計(jì)花費(fèi)195億美元。

在4月16日的一季度財(cái)報(bào)分析師電話(huà)會(huì)議上,臺(tái)積電副董事長(zhǎng)兼CEO魏哲家也曾談到3nm工藝,他表示3nm工藝的研發(fā)正在按計(jì)劃推進(jìn),計(jì)劃2021年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),他們的目標(biāo)是在2022年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。

魏哲家在會(huì)上還透露,3nm是他們?cè)?nm之后在芯片工藝上的一個(gè)完整的技術(shù)跨越,同第一代的5nm工藝(N5)相比,第一代的3nm工藝(N3)的晶體管密度將提升約70%,速度提升10%到15%,芯片的性能提升25%到30%,3nm工藝將進(jìn)一步夯實(shí)他們未來(lái)在芯片工藝方面的領(lǐng)導(dǎo)地位。

極客網(wǎng)企業(yè)會(huì)員

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2020-04-20
臺(tái)積電3nm工藝計(jì)劃每平方毫米集成2.5億晶體管 2022年大規(guī)模量產(chǎn)
在5nm工藝量產(chǎn)之后,在芯片工藝方面走在行業(yè)前列的臺(tái)積電,重點(diǎn)就將轉(zhuǎn)向3nm,外媒的報(bào)道顯示,臺(tái)積電3nm工藝的目標(biāo)是每平方毫米集成2.5億個(gè)晶體管。

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