6月2日消息，據國外媒體報道，三星電子日前表示，計劃投資8萬億韓元（約合人民幣466億元）在韓國平澤工業(yè)園區(qū)建NAND閃存生產線。
三星電子
生產線建設上月已經開始，預計2021年下半年開始生產三星最先進的V-NAND產品。
三星電子表示，此次投資旨在應對隨著人工智能、物聯(lián)網等第四次工業(yè)革命，以及5G普及而來的NAND需求。
上月，三星電子還透露，已在平澤投資建設生產線，新產線專注于基于極紫外光刻（EUV）技術的5nm、及以下制程。新產線已開始建設，預計明年下半年開始量產5nm芯片。
三星電子表示，加上平澤生產線，韓國將擁有7條芯片制造產線。
三星電子去年4月曾提出“半導體愿景2030”，計劃到2030年對系統(tǒng)芯片研發(fā)和生產技術領域投資133萬億韓元（約合人民幣7658億元）。
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