7納米、14納米、28納米芯片制造工藝市場(chǎng)價(jià)值對(duì)比

2020年8月11日,近日,中芯國際公布了截至2020年6月30日未經(jīng)審計(jì)的第二季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)中顯示:

2020年第二季的銷售額為938.5百萬美元,相較于2020年第一季的904.9百萬美元增加3.7%,相較于2019年第二季的790.9百萬美元增加18.7%。

2020年第二季毛利為248.6百萬美元,較2020年第一季的233.6百萬美元增加6.4%,較2019年第二季的151.2百萬美元增加64.5%。

2020年第二季毛利率為26.5%,相比2020年第一季為25.8%,2019年第二季為19.1%。

從財(cái)報(bào)上看,中芯國際整體業(yè)績的表現(xiàn)還是很優(yōu)秀的。

28納米工藝的“黃金線”

隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的進(jìn)步,芯片制程越做越小,性能也在不斷提升。但并非所有芯片設(shè)計(jì)公司都會(huì)選擇最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝。根據(jù)《2019集成電路行業(yè)研究報(bào)告》中的數(shù)據(jù)顯示,先進(jìn)制程(28nm及以下工藝)占據(jù)了48%的市場(chǎng)份額,而其它成熟工藝則占據(jù)了52%的市場(chǎng)份額。如果將28nm工藝也視作“成熟工藝”的話,成熟工藝的市場(chǎng)份額就更大了??梢哉f,成熟工藝才是業(yè)界的主流。

在談28納米工藝之前,先提一下FinFET。FinFET(Fin Field-Effect Transistor)中文名為鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET的命名是根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性,中芯國際的14nm工藝就使用了這種結(jié)構(gòu)。

FinFET結(jié)構(gòu)示意圖

FinFET結(jié)構(gòu)的溝道區(qū)域是一個(gè)被柵極包裹的魚鰭狀半導(dǎo)體。從圖上源極到漏極方向上鰭的長度為溝道長度。柵極采用了包裹式的結(jié)構(gòu),這樣增強(qiáng)了柵的控制能力,對(duì)溝道提供了更好的電學(xué)控制,從而降低了漏電流,抑制短溝道效應(yīng)。

通俗點(diǎn)說,如果把電流想象成水流,那么圖上的魚鰭狀半導(dǎo)體就是一根水管,源極和漏極就是水管的進(jìn)水口和出水口,而中間的柵極則是水管閥門。

對(duì)于晶體管來說讓它導(dǎo)通電流比較簡單,如何讓它在關(guān)閉的時(shí)候還不漏電才是難點(diǎn)。所以FinFET結(jié)構(gòu)就是把溝道區(qū)域做薄來抑制漏電,就像是把水管做薄之后,中間的閥門只要輕輕一夾就能把水管完全關(guān)閉。

傳統(tǒng)的半導(dǎo)體制造技術(shù)很難制造25納米以下的工藝,F(xiàn)inFET結(jié)構(gòu)就是為了解決這個(gè)問題而產(chǎn)生的。通常情況下制造25納米以下的工藝需要FinFET、FD-SOI或者其它更先進(jìn)的技術(shù)。

使用FinFET可以讓芯片的性能變得更好,那么對(duì)于沒有使用FinFET結(jié)構(gòu)的28nm工藝和使用了FinFET的14nm工藝對(duì)比,是不是28nm工藝就不太好呢?

這要看評(píng)價(jià)角度了,評(píng)價(jià)一種半導(dǎo)體制造工藝的好壞并不能單單看性能、功耗。

數(shù)據(jù)來自《集成電路設(shè)計(jì)業(yè)的發(fā)展思路和政策建議》

根據(jù)《集成電路設(shè)計(jì)業(yè)的發(fā)展思路和政策建議》中的數(shù)據(jù),14nm工藝開發(fā)成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過28nm工藝。如果從成本角度看,使用了FinFET的14nm工藝在成本方面體現(xiàn)出了明顯的劣勢(shì)。

更何況不是所有的芯片都像CPU、GPU那樣需要極高的性能,很多芯片只是能夠?qū)崿F(xiàn)特定的功能就可以了,由此看來28納米工藝是一款極具“性價(jià)比”的工藝。如果一個(gè)芯片項(xiàng)目對(duì)于性能有一定要求但不是很高,并且需要控制成本。那么對(duì)于這類芯片來說,28納米工藝目前是一個(gè)非常好的“妥協(xié)點(diǎn)”。

7納米工藝的“高端圈子”

以臺(tái)積電7nm工藝為例,臺(tái)積電的7nm工藝分為第一代7nm工藝(N7)、第二代7nm工藝(N7P)、7nm EUV(N7+)。其中N7和N7P使用的是DUV光刻,但為了用DUV制作7nm工藝,它還使用了例如沉浸式光刻、多重曝光等技術(shù)。而N7+則直接使用了EUV光刻。所以說這三種7nm工藝雖然在性能、功耗等方面表現(xiàn)優(yōu)異,但成本都十分高昂。通常像華為、蘋果、AMD這樣的大廠才會(huì)使用。

數(shù)據(jù)來自臺(tái)積電

可以從數(shù)據(jù)中看出手機(jī)芯片和高性能計(jì)算芯片(例如CPU、GPU)一直在臺(tái)積電收入中占據(jù)了過半的比重。

電腦芯片對(duì)于性能有著較高的要求,所以電腦芯片設(shè)計(jì)廠商更傾向于使用“高端”工藝。而對(duì)于手機(jī)芯片來說,除了性能,功耗也是十分重要的參數(shù)。特別是在當(dāng)今電池技術(shù)發(fā)展緩慢的情況下,降低手機(jī)芯片的功耗可以大大提高手機(jī)的續(xù)航能力。因此手機(jī)芯片廠商也十分愿意追捧“高端”工藝。

夾縫中的中芯國際14納米工藝

對(duì)于中芯國際14nm工藝來說,向上有性能壓制的7nm工藝,向下又有性價(jià)比極高的28nm工藝,這種情況對(duì)于中芯國際的14nm工藝來說并不太友好。

數(shù)據(jù)來自中芯國際

在今年第一季度的財(cái)報(bào)中,中芯國際14nm工藝收入占比僅為1.3%,這種情況并不算太理想。

數(shù)據(jù)來自中芯國際

而在今年第二季度的財(cái)報(bào)中,中芯國際干脆沒有公示14nm工藝的收入占比,僅公示了14/28nm的占比數(shù)據(jù)。

圖片截取自中芯國際官網(wǎng)

雖說過去確實(shí)有人將14nm工藝和28nm工藝都算作先進(jìn)工藝,但在中芯國際官網(wǎng)上明確的將14nm工藝列為先進(jìn)邏輯技術(shù),而將28nm工藝列為成熟邏輯技術(shù)。更何況中芯國際之前的財(cái)報(bào)都是將14nm工藝和28nm工藝占比分開統(tǒng)計(jì),現(xiàn)在卻將一種“先進(jìn)邏輯技術(shù)”和一種“成熟邏輯技術(shù)”強(qiáng)行放在一起統(tǒng)計(jì),這種舉動(dòng)顯然有些奇怪。不免會(huì)讓人認(rèn)為中芯國際有意隱藏14nm工藝占比數(shù)據(jù),或者是讓14nm工藝的占比數(shù)據(jù)更好看一些。

從目前的數(shù)據(jù)看,中芯國際14nm工藝的占比在非常緩慢的爬升,而且會(huì)在未來相當(dāng)長的一段時(shí)間內(nèi)依舊保持一種較低的占比,短期內(nèi)無法成為盈利支柱。比起14nm,自家的28nm工藝收入占比更高,而且爬升速度更快,這種性價(jià)比更高的成熟工藝更容易盈利。

“遲到工藝”的窘境

數(shù)據(jù)來自各公司公開信息

從表格中可以看出,不少芯片制造廠商集中在2015年推出14nm工藝,業(yè)界標(biāo)桿的臺(tái)積電也是在2015年推出了水平與業(yè)界14nm工藝相似的16nm工藝。在那時(shí)候14/16nm工藝是業(yè)界頂級(jí)工藝,各大芯片設(shè)計(jì)廠商紛紛追捧。

數(shù)據(jù)來自臺(tái)積電

以臺(tái)積電的數(shù)據(jù)為例,其16nm工藝的收入占比在以很快的速度下滑,而7nm工藝的占比則在快速提升。由此可見14/16nm工藝的市場(chǎng)火熱程度已大不如前。

在2019年的時(shí)候中芯國際才推出14nm工藝,但此時(shí)業(yè)界頂級(jí)工藝已經(jīng)開始向7nm工藝過渡。

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2020-08-11
7納米、14納米、28納米芯片制造工藝市場(chǎng)價(jià)值對(duì)比
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