7納米、14納米、28納米芯片制造工藝市場(chǎng)價(jià)值對(duì)比

2020年8月11日，近日，中芯國(guó)際公布了截至2020年6月30日未經(jīng)審計(jì)的第二季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)中顯示：

2020年第二季的銷售額為938.5百萬(wàn)美元，相較于2020年第一季的904.9百萬(wàn)美元增加3.7%，相較于2019年第二季的790.9百萬(wàn)美元增加18.7%。

2020年第二季毛利為248.6百萬(wàn)美元，較2020年第一季的233.6百萬(wàn)美元增加6.4%，較2019年第二季的151.2百萬(wàn)美元增加64.5%。

2020年第二季毛利率為26.5%，相比2020年第一季為25.8%，2019年第二季為19.1%。

從財(cái)報(bào)上看，中芯國(guó)際整體業(yè)績(jī)的表現(xiàn)還是很優(yōu)秀的。

28納米工藝的“黃金線”

隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的進(jìn)步，芯片制程越做越小，性能也在不斷提升。但并非所有芯片設(shè)計(jì)公司都會(huì)選擇最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝。根據(jù)《2019集成電路行業(yè)研究報(bào)告》中的數(shù)據(jù)顯示，先進(jìn)制程（28nm及以下工藝）占據(jù)了48%的市場(chǎng)份額，而其它成熟工藝則占據(jù)了52%的市場(chǎng)份額。如果將28nm工藝也視作“成熟工藝”的話，成熟工藝的市場(chǎng)份額就更大了?？梢哉f(shuō)，成熟工藝才是業(yè)界的主流。

在談28納米工藝之前，先提一下FinFET。FinFET（Fin Field-Effect Transistor）中文名為鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET的命名是根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性，中芯國(guó)際的14nm工藝就使用了這種結(jié)構(gòu)。

FinFET結(jié)構(gòu)示意圖

FinFET結(jié)構(gòu)的溝道區(qū)域是一個(gè)被柵極包裹的魚(yú)鰭狀半導(dǎo)體。從圖上源極到漏極方向上鰭的長(zhǎng)度為溝道長(zhǎng)度。柵極采用了包裹式的結(jié)構(gòu)，這樣增強(qiáng)了柵的控制能力，對(duì)溝道提供了更好的電學(xué)控制，從而降低了漏電流，抑制短溝道效應(yīng)。

通俗點(diǎn)說(shuō)，如果把電流想象成水流，那么圖上的魚(yú)鰭狀半導(dǎo)體就是一根水管，源極和漏極就是水管的進(jìn)水口和出水口，而中間的柵極則是水管閥門(mén)。

對(duì)于晶體管來(lái)說(shuō)讓它導(dǎo)通電流比較簡(jiǎn)單，如何讓它在關(guān)閉的時(shí)候還不漏電才是難點(diǎn)。所以FinFET結(jié)構(gòu)就是把溝道區(qū)域做薄來(lái)抑制漏電，就像是把水管做薄之后，中間的閥門(mén)只要輕輕一夾就能把水管完全關(guān)閉。

傳統(tǒng)的半導(dǎo)體制造技術(shù)很難制造25納米以下的工藝，F(xiàn)inFET結(jié)構(gòu)就是為了解決這個(gè)問(wèn)題而產(chǎn)生的。通常情況下制造25納米以下的工藝需要FinFET、FD-SOI或者其它更先進(jìn)的技術(shù)。

使用FinFET可以讓芯片的性能變得更好，那么對(duì)于沒(méi)有使用FinFET結(jié)構(gòu)的28nm工藝和使用了FinFET的14nm工藝對(duì)比，是不是28nm工藝就不太好呢？

這要看評(píng)價(jià)角度了，評(píng)價(jià)一種半導(dǎo)體制造工藝的好壞并不能單單看性能、功耗。

數(shù)據(jù)來(lái)自《集成電路設(shè)計(jì)業(yè)的發(fā)展思路和政策建議》

根據(jù)《集成電路設(shè)計(jì)業(yè)的發(fā)展思路和政策建議》中的數(shù)據(jù)，14nm工藝開(kāi)發(fā)成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)28nm工藝。如果從成本角度看，使用了FinFET的14nm工藝在成本方面體現(xiàn)出了明顯的劣勢(shì)。

更何況不是所有的芯片都像CPU、GPU那樣需要極高的性能，很多芯片只是能夠?qū)崿F(xiàn)特定的功能就可以了，由此看來(lái)28納米工藝是一款極具“性價(jià)比”的工藝。如果一個(gè)芯片項(xiàng)目對(duì)于性能有一定要求但不是很高，并且需要控制成本。那么對(duì)于這類芯片來(lái)說(shuō)，28納米工藝目前是一個(gè)非常好的“妥協(xié)點(diǎn)”。

7納米工藝的“高端圈子”

以臺(tái)積電7nm工藝為例，臺(tái)積電的7nm工藝分為第一代7nm工藝（N7）、第二代7nm工藝（N7P）、7nm EUV（N7+）。其中N7和N7P使用的是DUV光刻，但為了用DUV制作7nm工藝，它還使用了例如沉浸式光刻、多重曝光等技術(shù)。而N7+則直接使用了EUV光刻。所以說(shuō)這三種7nm工藝雖然在性能、功耗等方面表現(xiàn)優(yōu)異，但成本都十分高昂。通常像華為、蘋(píng)果、AMD這樣的大廠才會(huì)使用。

數(shù)據(jù)來(lái)自臺(tái)積電

可以從數(shù)據(jù)中看出手機(jī)芯片和高性能計(jì)算芯片（例如CPU、GPU）一直在臺(tái)積電收入中占據(jù)了過(guò)半的比重。

電腦芯片對(duì)于性能有著較高的要求，所以電腦芯片設(shè)計(jì)廠商更傾向于使用“高端”工藝。而對(duì)于手機(jī)芯片來(lái)說(shuō)，除了性能，功耗也是十分重要的參數(shù)。特別是在當(dāng)今電池技術(shù)發(fā)展緩慢的情況下，降低手機(jī)芯片的功耗可以大大提高手機(jī)的續(xù)航能力。因此手機(jī)芯片廠商也十分愿意追捧“高端”工藝。

夾縫中的中芯國(guó)際14納米工藝

對(duì)于中芯國(guó)際14nm工藝來(lái)說(shuō)，向上有性能壓制的7nm工藝，向下又有性價(jià)比極高的28nm工藝，這種情況對(duì)于中芯國(guó)際的14nm工藝來(lái)說(shuō)并不太友好。

數(shù)據(jù)來(lái)自中芯國(guó)際

在今年第一季度的財(cái)報(bào)中，中芯國(guó)際14nm工藝收入占比僅為1.3%,這種情況并不算太理想。

數(shù)據(jù)來(lái)自中芯國(guó)際

而在今年第二季度的財(cái)報(bào)中，中芯國(guó)際干脆沒(méi)有公示14nm工藝的收入占比，僅公示了14/28nm的占比數(shù)據(jù)。

圖片截取自中芯國(guó)際官網(wǎng)

雖說(shuō)過(guò)去確實(shí)有人將14nm工藝和28nm工藝都算作先進(jìn)工藝，但在中芯國(guó)際官網(wǎng)上明確的將14nm工藝列為先進(jìn)邏輯技術(shù)，而將28nm工藝列為成熟邏輯技術(shù)。更何況中芯國(guó)際之前的財(cái)報(bào)都是將14nm工藝和28nm工藝占比分開(kāi)統(tǒng)計(jì)，現(xiàn)在卻將一種“先進(jìn)邏輯技術(shù)”和一種“成熟邏輯技術(shù)”強(qiáng)行放在一起統(tǒng)計(jì)，這種舉動(dòng)顯然有些奇怪。不免會(huì)讓人認(rèn)為中芯國(guó)際有意隱藏14nm工藝占比數(shù)據(jù)，或者是讓14nm工藝的占比數(shù)據(jù)更好看一些。

從目前的數(shù)據(jù)看，中芯國(guó)際14nm工藝的占比在非常緩慢的爬升，而且會(huì)在未來(lái)相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間內(nèi)依舊保持一種較低的占比，短期內(nèi)無(wú)法成為盈利支柱。比起14nm，自家的28nm工藝收入占比更高，而且爬升速度更快，這種性價(jià)比更高的成熟工藝更容易盈利。

“遲到工藝”的窘境

數(shù)據(jù)來(lái)自各公司公開(kāi)信息

從表格中可以看出，不少芯片制造廠商集中在2015年推出14nm工藝，業(yè)界標(biāo)桿的臺(tái)積電也是在2015年推出了水平與業(yè)界14nm工藝相似的16nm工藝。在那時(shí)候14/16nm工藝是業(yè)界頂級(jí)工藝，各大芯片設(shè)計(jì)廠商紛紛追捧。

數(shù)據(jù)來(lái)自臺(tái)積電

以臺(tái)積電的數(shù)據(jù)為例，其16nm工藝的收入占比在以很快的速度下滑，而7nm工藝的占比則在快速提升。由此可見(jiàn)14/16nm工藝的市場(chǎng)火熱程度已大不如前。

在2019年的時(shí)候中芯國(guó)際才推出14nm工藝，但此時(shí)業(yè)界頂級(jí)工藝已經(jīng)開(kāi)始向7nm工藝過(guò)渡。

生成海報(bào)

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