1月5日消息，據(jù)國外媒體報道，在此前的報道中，英文媒體援引產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息報道稱，臺積電和三星的3nm工藝研發(fā)均遭遇關鍵瓶頸，研發(fā)進度也不得不推遲。
臺積電和三星的3nm工藝研發(fā)遭遇挑戰(zhàn)，是否會影響到最終的量產(chǎn)時間也備受關注，但外媒在報道中表示，目前仍有足夠的時間在2022年開始量產(chǎn)。
3nm是5nm之后芯片制程工藝上的一個完整的技術跨越，芯片的晶體管密度、速度和能耗，較5nm都將會有明顯的提升。
在3nm工藝上，臺積電和三星這兩大芯片代工商走的是不同的路線，臺積電仍將采用成熟的鰭式場效應晶體管技術（FinFET），外媒稱三星將采用環(huán)繞柵極晶體管技術（GAA）。
臺積電CEO魏哲家，在此前的財報分析師電話會議上曾多地談到3nm工藝，他表示3nm工藝計劃2021年風險試產(chǎn)，他們的目標是在2022年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。這也就意味著目前距離量產(chǎn)還有一年半的時間，他們也需要盡快攻克所遇到的關鍵瓶頸，以便在今年完成風險試產(chǎn)，進而在明年下半年大規(guī)模投產(chǎn)。
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