三星3nm制程工藝已成功流片 采用全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)

6月30日消息,據(jù)國外媒體報道,在2015年為蘋果代工的A9芯片在iPhone 6s上的續(xù)航能力不及臺積電所生產(chǎn)芯片一事出現(xiàn)之后,三星就再也未能獲得蘋果A系列處理器的代工訂單,蘋果的訂單也就全部交給了臺積電,三星隨后在芯片制程工藝和良品率方面,也始終不及臺積電,在芯片代工商市場的份額也遠(yuǎn)不及臺積電。

但在芯片制程工藝及代工市場連續(xù)多年落后臺積電的三星,并不甘于落后,在7nm和5nm制程工藝未能先于臺積電量產(chǎn)之后,他們把目標(biāo)放在了更先進(jìn)的3nm制程工藝上。去年就曾有消息稱,為了在3nm工藝上領(lǐng)先臺積電,三星修改了芯片工藝路線圖,跳過4nm工藝,由5nm直接提升到3nm。

而外媒的報道顯示,力求在3nm制程工藝方面領(lǐng)先臺積電的三星,目前也傳出了好消息,他們的3nm制程工藝已成功流片。

外媒在報道中,并未提及三星3nm制程工藝流片的具體時間,但成功流片,也就意味著這一制程工藝距離量產(chǎn)又更近了一步。

不同于臺積電在3nm工藝上繼續(xù)使用的成熟的鰭式場效應(yīng)晶體管技術(shù)(FinFET),三星的3nm工藝,采用的是全環(huán)繞柵極晶體管(GAA)技術(shù),這也就需要不同的設(shè)計和驗證平臺。

外媒在報道中也提到,三星3nm工藝,采用的是Synopsys公司的Fusion設(shè)計平臺,三星3nm制程工藝成功流片,是兩家公司廣泛合作的成果,也將加速這一工藝的量產(chǎn)。

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2021-06-30
三星3nm制程工藝已成功流片 采用全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)
外媒的報道顯示,力求在3nm制程工藝方面領(lǐng)先臺積電的三星,目前傳出了好消息,他們的3nm制程工藝已成功流片,采用的是全環(huán)繞柵極晶體管(GAA)技術(shù)。

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