三星已確保3nm工藝良品率穩(wěn)定 計劃明年6月量產

10月9日消息,據國外媒體報道,5nm芯片制程工藝已順利量產的臺積電和三星電子,都在全力推進3nm工藝的量產事宜,以便占得先機,進而獲得更多的代工訂單。

而韓國媒體最新的報道顯示,三星電子已確保3nm制程工藝有穩(wěn)定的良品率,他們計劃在明年6月份開始量產,代工相關的芯片。

從韓國媒體的報道來看,三星電子3nm制程工藝計劃在明年6月份開始量產,是三星電子方面的一名高管,當?shù)貢r間周三在以在線方式舉行的三星代工論壇上透露的。

三星電子的3nm工藝,并未繼續(xù)采用鰭式場效應晶體管(FinFET)技術,而是采用全環(huán)繞柵極晶體管(GAA)技術。三星方面表示,采用這一工藝代工的芯片,性能較5nm將提升50%,能耗降低50%。

三星電子方面對3nm工藝寄予厚望,多年前就已開始研發(fā)事宜。在今年6月底,有外媒在報道中表示,三星電子的3nm工藝已成功流片,距離量產又更近了一步。

目前在推進3nm工藝的另一家,是當前全球最大的芯片代工商臺積電,在近幾個季度的財報分析師電話會議上,臺積電CEO魏哲家均透露他們的這一工藝在按計劃推進,計劃今年下半年風險試產,明年大規(guī)模量產。

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2021-10-09
三星已確保3nm工藝良品率穩(wěn)定 計劃明年6月量產
三星3nm工藝采用全環(huán)繞柵極晶體管(GAA)技術,性能較5nm將提升50%,能耗降低50%。

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