10月15日消息，佳能公司近日宣布，其已經(jīng)開始銷售基于“納米印刷”（Nanoprinted lithography）技術(shù)的芯片生產(chǎn)設(shè)備 FPA-1200NZ2C。佳能表示，該設(shè)備采用不同于復(fù)雜光刻技術(shù)的方案，可以制造5納米芯片。
據(jù)芯智訊報(bào)道，在半導(dǎo)體制程技術(shù)進(jìn)入5納米節(jié)點(diǎn)之后，EUV極紫外光刻機(jī)已經(jīng)成為了不可或缺的關(guān)鍵設(shè)備。
但是，因?yàn)镋UV光刻機(jī)造價(jià)高昂，每臺(tái)價(jià)格超過(guò)1億美元，而且EUV光刻機(jī)僅荷蘭ASML一家產(chǎn)生能夠供應(yīng)，且產(chǎn)能有限，這使得芯片的生產(chǎn)成本大幅升高。
為此，從2017 年開始，半導(dǎo)體設(shè)備廠佳能就與存儲(chǔ)芯片大廠鎧俠，以及光罩等半導(dǎo)體零組件制造商大日本印刷株式會(huì)社（DNP）合作，在日本三重縣四日市的鎧俠工廠內(nèi)研發(fā)基于納米壓?。∟IL) 的量產(chǎn)技術(shù)，可以不使用EUV光刻機(jī)，就能使制程技術(shù)推進(jìn)到5nm。
佳能表示，這套生產(chǎn)設(shè)備的工作原理和行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 ASML 的光刻機(jī)不同，其并不利用光學(xué)圖像投影的原理將集成電路的微觀結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到硅晶圓上，而是更類似于印刷技術(shù)，直接通過(guò)壓印形成圖案。
相較于目前已商用化的EUV光刻技術(shù)，鎧俠在2021年就曾表示，NIL 技術(shù)可大幅減少耗能，并降低設(shè)備成本。
原因在于 NIL 技術(shù)的微影制程較為單純，耗電量可壓低至EUV 技術(shù)的10%，并讓設(shè)備投資降低至僅有 EUV 設(shè)備的40%。
目前，EUV光刻機(jī)只有荷蘭ASML一家能夠生產(chǎn)供應(yīng)，其不但價(jià)格高，而且需要許多檢測(cè)設(shè)備的配合。
不過(guò)，雖然 NIL 技術(shù)有許多的優(yōu)點(diǎn)，但現(xiàn)階段在導(dǎo)入量產(chǎn)上仍有不少問(wèn)題有待解決，其中包括更容易因空氣中的細(xì)微塵埃的影響而形成瑕疵。
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