臺(tái)積電:預(yù)計(jì)2030年邁入1nm時(shí)代

在日前舉行的2023年IEEE國(guó)際電子元件會(huì)議上,臺(tái)積電發(fā)布進(jìn)軍至1nm制程的產(chǎn)品規(guī)劃藍(lán)圖。該公司預(yù)計(jì),2030年將在3D封裝內(nèi)提供超過(guò)1兆個(gè)晶體管,且正在開(kāi)發(fā)在單體式(monolithic)架構(gòu)中包含2000億個(gè)晶體管的芯片。

為了實(shí)現(xiàn)目標(biāo),臺(tái)積電方面稱,正在發(fā)展2nm級(jí)N2和N2P生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)、1.4nm級(jí)A14和1nm級(jí)A10制造工藝,預(yù)計(jì)將于2030年完成。


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2023-12-28
臺(tái)積電:預(yù)計(jì)2030年邁入1nm時(shí)代
在日前舉行的2023年IEEE國(guó)際電子元件會(huì)議上,臺(tái)積電發(fā)布進(jìn)軍至1nm制程的產(chǎn)品規(guī)劃藍(lán)圖。該公司預(yù)計(jì),2030年將在3D封裝內(nèi)提供超過(guò)1兆個(gè)晶體管,且正在開(kāi)發(fā)在單體式(monolithic)架構(gòu)中包含2000億個(gè)晶體管的芯片。為了實(shí)現(xiàn)目標(biāo),臺(tái)積電方面稱,正在發(fā)展2nm級(jí)N2和N2P生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)、1.4nm級(jí)A1...

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