華邦電子推出全新超低功耗64Mb 1.2V SPI NOR Flash

3月17日消息，華邦電子近日宣布，推出全新SpiFlash® 產(chǎn)品W25Q64NE ，首次將1.2V SPI NOR Flash容量擴展至64Mb。華邦新型W25Q64NE閃存可提供更多代碼存儲空間并減少設備的運行功耗，充分滿足新一代智能可穿戴設備和移動設備的內(nèi)存需求。

華邦是第一家推出 1.2V SPI NOR Flash的閃存制造商，該產(chǎn)品工作電壓的擴展范圍是1.14V-1.6V，可兼容單節(jié) AA型堿性電池的輸出電壓。此次將產(chǎn)品容量提升至64Mb，華邦 1.2V NOR Flash系列產(chǎn)品可滿足智能設備對代碼存儲空間的更高要求。目前，新型 W25Q64NE產(chǎn)品已經(jīng)送樣，同時提供符合行業(yè)標準封裝的USON8-3x4和WLCSP小尺寸封裝形式。

產(chǎn)品特點

通常，移動設備和可穿戴設備的總功耗有99%都是在運行模式中產(chǎn)生，與1.8V SpiFlash產(chǎn)品相比，華邦1.2V SPI NOR Flash可將Flash本身的運行功耗減少三分之一。因此，使用華邦的 1.2V NOR Flash可幫助電池容量較小的設備像是TWS耳機與健身手環(huán)大幅延長產(chǎn)品續(xù)航時間。

華邦表示：“如今，電池續(xù)航時間已經(jīng)成為影響消費者購買TWS耳機和智能手表等新產(chǎn)品的關鍵因素，而華邦新型W25Q64NE閃存正是這些設備制造商的理想選擇，可助力提高終端產(chǎn)品競爭力。”

在工作頻率為 50MHz 的讀取模式下，1.8V SpiFlash 內(nèi)存的工作電流為 4mA，功耗為 7.2mW。而同樣在50MHz時，華邦1.2V SpiFlash內(nèi)存的工作電流也為4mA，但功耗僅為 4.8mW。使用1.2V SpiFlsh替換1.8V產(chǎn)品，可立即節(jié)省33%的功耗。

除省電外，1.2V SpiFlash還可簡化系統(tǒng)設計并降低成本。隨著 SoC工藝向更先進的制程發(fā)展，新一代 SoC 的 I/O 電壓正在逐步降低，目前已經(jīng)低于1.8V，因此需要搭配電平轉(zhuǎn)換器才能與傳統(tǒng)的 1.8V/3V SPI Flash連接，這將導致額外的成本支出并增加系統(tǒng)設計的復雜性。而采用1.2V 閃存，SoC 無需電平轉(zhuǎn)換器即可直接連接到 SPI Flash，從而降低 BOM 成本和 PCB 占用空間。

華邦W25Q64NE配備性能出色的標準SPI NOR 接口，最大數(shù)據(jù)傳輸速率可達 42MB/s。 與1.8/3V SPI Flash操作方式的架構相同, 支持最小 4KB的可擦除扇區(qū)。

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