長江存儲推出第四代TLC三維閃存X3-9070?搭載晶棧3.0架構

8月3日消息，今日長江存儲科技有限責任公司（長江存儲）在2022年閃存峰會（FMS）上正式發(fā)布了基于晶棧?（Xtacking）3.0技術的第四代TLC三維閃存X3-9070。相比長江存儲上一代產品，X3-9070擁有更高的存儲密度，更快的I/O速度，并采用6-plane設計，性能提升的同時功耗更低，進一步釋放系統(tǒng)級產品潛能。

長江存儲第四代TLC三維閃存X3-9070

自2018年問世以來，晶棧?（Xtacking）技術已成為長江存儲助推閃存行業(yè)發(fā)展的關鍵動力之一。存儲陣列和外圍電路的混合鍵合工藝為閃存產品帶來了更高的密度、更快的I/O速度和更短的產品上市周期。隨著長江存儲晶棧?3.0的推出，新一代X3系列閃存產品將為大數(shù)據、5G、智能物聯(lián)（AloT）及其他領域的多樣化應用帶來新的機遇。

經歷了晶棧?從1.0到3.0的迭代發(fā)展，長江存儲在三維異構集成領域已積累了豐富的經驗，并基于晶棧?技術成功打造了多款長江存儲系統(tǒng)解決方案產品，包括SATA III、PCIe Gen3、Gen4固態(tài)硬盤，以及用于移動通信和其他嵌入式應用的eMMC、UFS等嵌入式存儲產品，獲得了行業(yè)合作伙伴的廣泛好評。

“長江存儲自研晶棧?3.0架構的問世是其在3D NAND賽道上的重要突破，” Forward Insights創(chuàng)始人兼首席分析師 Gregory Wong表示，“事實證明，存儲陣列和外圍邏輯電路的混合鍵合技術對推動3D NAND技術發(fā)展和創(chuàng)新至關重要。搭載先進的閃存技術晶棧?3.0平臺，X3-9070是一個關鍵的行業(yè)里程碑。這也預示著，存儲單元和外圍邏輯電路混合鍵合的技術，將有望成為未來的行業(yè)主流?！?/p>

作為一款創(chuàng)新產品，長江存儲X3-9070兼具出色的性能、更佳的耐用性以及高質量可靠性，并通過美國電子器件工程聯(lián)合委員會（JEDEC）定義的多項測試標準。

X3-9070具有如下技術特點：

· 性能：X3-9070實現(xiàn)高達2400MT/s的I/O傳輸速率，符合ONFI5.0規(guī)范；相較于長江存儲上一代產品實現(xiàn)了50%的性能提升；

· 密度：得益于晶棧?3.0的架構創(chuàng)新，X3-9070成為了長江存儲歷史上密度最高的閃存顆粒產品，能夠在更小的單顆芯片中實現(xiàn)1Tb的存儲容量；

· 提升系統(tǒng)級產品體驗：得益于創(chuàng)新的 6-plane設計，X3-9070相比傳統(tǒng)4-plane，性能提升50%以上，同時功耗降低25%，能效比顯著提升，可為終端用戶帶來更具吸引力的總體擁有成本（TCO）。

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