7月20日消息，近日三星電子宣布已完成其業(yè)內(nèi)首款GDDR7的研發(fā)工作。年內(nèi)將首先搭載于主要客戶的下一代系統(tǒng)上驗(yàn)證，從而帶動(dòng)未來(lái)顯卡市場(chǎng)的增長(zhǎng)，并進(jìn)一步鞏固三星電子在該領(lǐng)域的技術(shù)地位。
繼2022年三星開(kāi)發(fā)出速度為每秒24千兆比特(Gbps)的GDDR6 16Gb之后，GDDR7 16Gb產(chǎn)品將提供目前為止三星顯存的最高速度32Gbps。同時(shí)，集成電路（IC）設(shè)計(jì)和封裝技術(shù)的創(chuàng)新提升了高速運(yùn)行下的性能穩(wěn)定性。
值得一提的是，三星GDDR7可達(dá)到出色的每秒1.5太字節(jié)（TBps）的帶寬，是GDDR6 1.1TBps的1.4倍，并且每個(gè)數(shù)據(jù)I/O（輸入/輸出）口速率可達(dá)32Gbps。該產(chǎn)品采用脈幅調(diào)制（PAM3）信號(hào)方式，取代前幾代產(chǎn)品的不歸零（NRZ）信號(hào)方式，從而實(shí)現(xiàn)性能大幅提升。在相同信號(hào)周期內(nèi)，PAM3信號(hào)方式可比NRZ信號(hào)方式多傳輸50%的數(shù)據(jù)。
另外，GDDR7的設(shè)計(jì)采用了適合高速運(yùn)行的節(jié)能技術(shù)，相比GDDR6能效提高了20%。針對(duì)筆記本電腦等注重功耗的設(shè)備，三星提供了一個(gè)低工作電壓的選項(xiàng)。
為最大限度地減少顯存芯片發(fā)熱，除集成電路（IC）架構(gòu)優(yōu)化外，三星還在封裝材料中使用具有高導(dǎo)熱性的環(huán)氧成型化合物（EMC）材料。與GDDR6相比，這些改進(jìn)不僅顯著降低70%的熱阻，還幫助GDDR7在高速運(yùn)行的情況下，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。
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