8月30日消息，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出業(yè)界首款2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊——“MG250YD2YMS3”。 新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和儲能系統(tǒng)等使用DC 1500V的應用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
類似上述的工業(yè)應用通常使用DC 1000V或更低功率，其功率器件多為1200V或1700V產(chǎn)品。然而，預計未來幾年內(nèi)DC 1500V將得到廣泛應用，因此東芝發(fā)布了業(yè)界首款2200V產(chǎn)品。
MG250YD2YMS3具有低導通損耗和0.7V（典型值）的低漏極-源極導通電壓（傳感器）。此外，它還具有較低的開通和關斷損耗，分別為14mJ（典型值）和11mJ（典型值），與典型的硅（Si）IGBT相比降低了約90%。這些特性均有助于提高設備效率。由于MG250YD2YMS3可實現(xiàn)較低的開關損耗，用戶可采用模塊數(shù)量更少的兩電平電路取代傳統(tǒng)的三電平電路，有助于設備的小型化。
東芝將不斷創(chuàng)新，持續(xù)滿足市場對高效率和工業(yè)設備小型化的需求。
應用
工業(yè)設備
? 可再生能源發(fā)電系統(tǒng)（光伏發(fā)電系統(tǒng)等）
? 儲能系統(tǒng)
? 工業(yè)設備用電機控制設備
? 高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器等設備
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