美光量產(chǎn)HBM3E高帶寬內(nèi)存 用于英偉達H200二季度出貨

3月4日消息，美光近日宣布已開始量產(chǎn)其 HBM3E 高帶寬內(nèi)存 解決方案。英偉達 H200 Tensor Core GPU 將采用美光 8 層堆疊的 24GB 容量 HBM3E 內(nèi)存，并于 2024 年第二季度開始出貨。

美光 HBM3E 引腳速率超過 9.2Gb/s，提供超過1.2TB/s的內(nèi)存帶寬，美光 HBM3E 功耗比競品低約 30%，美光 HBM3E 目前提供 24 GB 容量，使數(shù)據(jù)中心能夠無縫擴展其人工智能應用。

此外，美光將于 2024 年3月出樣12層堆疊的 36GB 容量 HBM3E，提供超過 1.2TB/s 的性能。同時，美光將贊助 3 月 18 日開幕的英偉達 GTC 全球人工智能大會，屆時將分享更多前沿 AI 內(nèi)存產(chǎn)品系列和路線圖。

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