臺(tái)積電2nm工藝取得重要進(jìn)展，良率達(dá)標(biāo)預(yù)示量產(chǎn)在即

媒體報(bào)道指出，臺(tái)積電在臺(tái)灣省新竹寶山工廠的2nm工藝試產(chǎn)已經(jīng)取得了顯著成果，良率達(dá)到了60%，這一數(shù)字超出了公司內(nèi)部的預(yù)期。此外，臺(tái)積電計(jì)劃在明年上半年在高雄工廠啟動(dòng)2nm工藝的試產(chǎn)工作。

據(jù)悉，批量生產(chǎn)芯片的代工廠通常需要70%甚至更高的良率才能保證效率。臺(tái)積電目前的進(jìn)展表明，在2nm工藝大規(guī)模量產(chǎn)之前，公司有足夠的時(shí)間將良率提升至量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。

隨著2nm時(shí)代的到來(lái)，晶圓的價(jià)格也出現(xiàn)了顯著上漲。消息人士透露，2nm晶圓的價(jià)格已經(jīng)超過了3萬(wàn)美元，而目前3nm晶圓的價(jià)格大約在1.85萬(wàn)至2萬(wàn)美元之間。這一對(duì)比顯示，2nm工藝的價(jià)格將會(huì)大幅提升。

臺(tái)積電的訂單報(bào)價(jià)包含了多種因素，與具體客戶和訂單量有關(guān)，因此部分客戶可能會(huì)獲得一定的優(yōu)惠。目前3萬(wàn)美元的價(jià)格只是一個(gè)大致的數(shù)字。

公開報(bào)道顯示，自2004年臺(tái)積電推出90nm芯片以來(lái)，晶圓報(bào)價(jià)經(jīng)歷了顯著的增長(zhǎng)。從90nm的近2000美元到2016年10nm的6000美元，再到7nm和5nm的破萬(wàn)報(bào)價(jià)，5nm甚至高達(dá)16000美元，而且這些價(jià)格還未計(jì)入臺(tái)積電2023年6%的漲幅。

今年10月份，高通和聯(lián)發(fā)科等公司旗艦芯片的制程工藝全部轉(zhuǎn)向3nm，引發(fā)了終端產(chǎn)品的漲價(jià)潮。半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì)，由于先進(jìn)制程的報(bào)價(jià)居高不下，芯片廠商成本上升，這可能會(huì)導(dǎo)致他們將成本壓力轉(zhuǎn)嫁給下游客戶或終端消費(fèi)者。

臺(tái)積電在2nm制程節(jié)點(diǎn)上首度使用Gate-all-around FETs晶體管，并且N2工藝還能結(jié)合NanoFlex技術(shù)，為芯片設(shè)計(jì)人員提供了更多的靈活性。與現(xiàn)有的N3E工藝相比，N2工藝預(yù)計(jì)在相同功率下性能提升10%至15%，或在相同頻率下功耗降低25%至30%，同時(shí)晶體管密度也將提升15%。這些技術(shù)的進(jìn)步將為芯片行業(yè)帶來(lái)新的發(fā)展機(jī)遇。

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