三星稱下一代3nm / 4nm節(jié)點(diǎn)有望明年下半年量產(chǎn)

驅(qū)動(dòng)中國(guó)2023年11月3日消息,近日,三星電子本周向投資者透露,近期將過渡和推進(jìn)光刻技術(shù),計(jì)劃 2024 年下半年向市場(chǎng)推出采用第二代 3nm 工藝技術(shù)(SF3)以及量產(chǎn)版 4nm 工藝(SF4X)的產(chǎn)品。

三星聲稱,SF3 將提供更大的設(shè)計(jì)多功能性,可以在相同的單元類型中,為不同的全柵極 (GAA) 晶體管提供不同的納米片通道寬度。不過,盡管三星沒有直接比較 SF3 和 SF3E,但三星表示 SF3 比 SF4(4LPP、4nm 級(jí)、低功耗)有重大改進(jìn):包括在相同功率和復(fù)雜性下性能提高 22%,或者在相同頻率和晶體管數(shù)量下功耗降低 34%,以及邏輯面積減少 21%。

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2023-11-03
三星稱下一代3nm / 4nm節(jié)點(diǎn)有望明年下半年量產(chǎn)
驅(qū)動(dòng)中國(guó)2023年11月3日消息,近日,三星電子本周向投資者透露,近期將過渡和推進(jìn)光刻技術(shù),計(jì)劃 2024 年下半年向市場(chǎng)推出采用第二代 3nm 工藝技術(shù)(SF

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