三星宣布2025年量產(chǎn)2nm芯片，繼續(xù)推動(dòng)半導(dǎo)體工藝創(chuàng)新

極客網(wǎng)6月13日消息，近日，在加利福尼亞州圣何塞舉辦的2024年三星晶圓代工論壇年度博覽會(huì)上，三星公布了其最新的半導(dǎo)體芯片工藝路線圖，宣布了其在未來幾年的重大技術(shù)進(jìn)步計(jì)劃。

根據(jù)三星的公布，該公司計(jì)劃在2025年實(shí)現(xiàn)2nm芯片的量產(chǎn)，并在2027年進(jìn)一步將工藝推進(jìn)至1.4nm。這一雄心勃勃的計(jì)劃彰顯了三星在半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新和領(lǐng)先地位。

值得注意的是，三星的2nm工藝布局了多個(gè)節(jié)點(diǎn)，包括SF2、SF2P、SF2X、SF2A和SF2Z等。其中，第一代2nm工藝SF2預(yù)計(jì)將在明年準(zhǔn)備就緒，而最先進(jìn)的SF2Z節(jié)點(diǎn)則計(jì)劃于2027年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)商用。SF2Z采用了先進(jìn)的后端供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）技術(shù)，旨在提高電源效率，為用戶提供更加高效和穩(wěn)定的芯片產(chǎn)品。

三星的2nm工藝在技術(shù)上進(jìn)行了多項(xiàng)創(chuàng)新。該工藝進(jìn)一步完善了多橋-通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MBCFET）架構(gòu)，并采用了獨(dú)特的外延和集成工藝。與基于FinFET的工藝技術(shù)相比，MBCFET架構(gòu)的晶體管性能提升了11%至46%，可變性降低了26%，同時(shí)漏電降低了約50%。這些技術(shù)上的改進(jìn)將極大地提升三星芯片的性能和效率。

此外，三星在今年2月宣布與Arm展開合作，共同優(yōu)化下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU內(nèi)核。這一合作將基于三星的GAA晶體管技術(shù)，旨在進(jìn)一步提高芯片的性能和效率。通過與Arm的合作，三星將能夠?yàn)榭蛻籼峁└映錾奶幚砥鳟a(chǎn)品，滿足各種應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

總的來說，三星的2nm工藝計(jì)劃展示了其在半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新和領(lǐng)先地位。通過不斷的技術(shù)進(jìn)步和合作創(chuàng)新，三星將繼續(xù)推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，為用戶提供更加出色的芯片產(chǎn)品。

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