極客網(wǎng)消息,據(jù)韓媒BusinessKorea報道,半導體巨頭SK海力士在VLSI 2024峰會上展示了其在3D DRAM技術領域的最新研究成果。該公司在實驗中實現(xiàn)了五層堆疊的3D DRAM內存,其良率已達到56.1%,這一突破為3D DRAM技術的進一步發(fā)展提供了重要支撐。
與傳統(tǒng)的DRAM技術不同,3D DRAM采用垂直堆疊單元的方式,可以在相同的空間內實現(xiàn)更高的存儲密度。然而,SK海力士也指出,與2D DRAM的穩(wěn)定運行相比,3D DRAM的性能特征尚存在不穩(wěn)定性,需要堆疊更多的存儲單元才能實現(xiàn)廣泛應用。
目前,SK海力士的五層堆疊3D DRAM已經(jīng)展現(xiàn)出了與當前2D DRAM相似的性能特性,這為其在市場上的商業(yè)化應用打下了堅實的基礎。與此同時,另一家半導體巨頭三星也在積極開發(fā)16層堆疊的3D DRAM技術,并計劃在2030年左右實現(xiàn)該技術的商業(yè)化應用。
盡管3D DRAM技術仍面臨一些挑戰(zhàn),如堆疊層數(shù)的限制和性能穩(wěn)定性等問題,但SK海力士和三星等企業(yè)的持續(xù)研發(fā)和創(chuàng)新,為這一領域的未來發(fā)展帶來了更多可能性。隨著技術的不斷進步和成熟,3D DRAM有望在未來成為半導體存儲市場的重要力量。
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