SK海力士五層堆疊3D DRAM技術取得突破,良率提升至56.1%

極客網(wǎng)消息,據(jù)韓媒BusinessKorea報道,半導體巨頭SK海力士在VLSI 2024峰會上展示了其在3D DRAM技術領域的最新研究成果。該公司在實驗中實現(xiàn)了五層堆疊的3D DRAM內存,其良率已達到56.1%,這一突破為3D DRAM技術的進一步發(fā)展提供了重要支撐。

與傳統(tǒng)的DRAM技術不同,3D DRAM采用垂直堆疊單元的方式,可以在相同的空間內實現(xiàn)更高的存儲密度。然而,SK海力士也指出,與2D DRAM的穩(wěn)定運行相比,3D DRAM的性能特征尚存在不穩(wěn)定性,需要堆疊更多的存儲單元才能實現(xiàn)廣泛應用。

目前,SK海力士的五層堆疊3D DRAM已經(jīng)展現(xiàn)出了與當前2D DRAM相似的性能特性,這為其在市場上的商業(yè)化應用打下了堅實的基礎。與此同時,另一家半導體巨頭三星也在積極開發(fā)16層堆疊的3D DRAM技術,并計劃在2030年左右實現(xiàn)該技術的商業(yè)化應用。

盡管3D DRAM技術仍面臨一些挑戰(zhàn),如堆疊層數(shù)的限制和性能穩(wěn)定性等問題,但SK海力士和三星等企業(yè)的持續(xù)研發(fā)和創(chuàng)新,為這一領域的未來發(fā)展帶來了更多可能性。隨著技術的不斷進步和成熟,3D DRAM有望在未來成為半導體存儲市場的重要力量。

極客網(wǎng)企業(yè)會員

免責聲明:本網(wǎng)站內容主要來自原創(chuàng)、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿,凡在本網(wǎng)站出現(xiàn)的信息,均僅供參考。本網(wǎng)站將盡力確保所提供信息的準確性及可靠性,但不保證有關資料的準確性及可靠性,讀者在使用前請進一步核實,并對任何自主決定的行為負責。本網(wǎng)站對有關資料所引致的錯誤、不確或遺漏,概不負任何法律責任。任何單位或個人認為本網(wǎng)站中的網(wǎng)頁或鏈接內容可能涉嫌侵犯其知識產(chǎn)權或存在不實內容時,應及時向本網(wǎng)站提出書面權利通知或不實情況說明,并提供身份證明、權屬證明及詳細侵權或不實情況證明。本網(wǎng)站在收到上述法律文件后,將會依法盡快聯(lián)系相關文章源頭核實,溝通刪除相關內容或斷開相關鏈接。

2024-06-24
SK海力士五層堆疊3D DRAM技術取得突破,良率提升至56.1%
據(jù)韓媒BusinessKorea報道,半導體巨頭SK海力士在VLSI 2024峰會上展示了其在3D DRAM技術領域的最新研究成果。該公司在實驗中實現(xiàn)了五層堆疊的3D DRAM內存,其良率已達到56.1%,這一突破為3D DRAM技術的進一步發(fā)展提供了重要支撐。

長按掃碼 閱讀全文