華為創(chuàng)新技術(shù)突破SSD壽命瓶頸 延長壽命達30-50%

極客網(wǎng)消息，隨著固態(tài)硬盤（SSD）容量的飛速增長，從企業(yè)級應(yīng)用的30TB到120TB，存儲容量的擴大為數(shù)據(jù)處理帶來了極大的便利。然而，SSD壽命問題一直是業(yè)界關(guān)注的焦點，大容量SSD一旦出現(xiàn)故障，數(shù)據(jù)丟失的風(fēng)險也隨之增大。近日，華為數(shù)據(jù)存儲部門宣布，其創(chuàng)新技術(shù)成功延長了SSD的使用壽命，提升了30-50%。

SSD的壽命受限于其內(nèi)部的NAND Flash顆粒。這些顆粒在持續(xù)擦寫過程中，會逐漸減弱捕獲電子的能力，當(dāng)超過最大擦寫次數(shù)時，就可能出現(xiàn)數(shù)據(jù)錯誤，導(dǎo)致硬盤壽命耗盡。因此，如何減少“寫放大”，即減少因數(shù)據(jù)更新而引發(fā)的額外擦寫次數(shù)，成為延長SSD壽命的關(guān)鍵。

華為通過兩大技術(shù)創(chuàng)新，顯著降低了“寫放大”的影響。首先，華為OceanStor Pacific分布式存儲系統(tǒng)采用小I/O聚合技術(shù)，將小規(guī)模的I/O操作在寫入SSD之前先在保電內(nèi)存中聚合，只有當(dāng)數(shù)據(jù)量達到一定規(guī)模后才進行寫入，從而避免了因小I/O補齊導(dǎo)致的額外擦寫。這一技術(shù)同時也有利于元數(shù)據(jù)的管理，減少了因元數(shù)據(jù)變化而引發(fā)的頻繁讀寫。

其次，華為獨創(chuàng)的多流技術(shù)智能識別數(shù)據(jù)的冷熱程度，優(yōu)化數(shù)據(jù)布局，減少了不必要的重復(fù)擦寫和數(shù)據(jù)搬移。這一技術(shù)使得SSD在處理頻繁變化的數(shù)據(jù)時，能夠更有效地利用存儲空間，延長了使用壽命。

除了減少“寫放大”，華為還通過增強編碼糾錯技術(shù)來增加顆粒的總擦寫次數(shù)。華為開發(fā)的LDPC（Low Density Parity Check）算法與SmartFSP 3.0算法相結(jié)合，通過監(jiān)測Flash介質(zhì)、尋找更精確的讀取電位，以及提供高性能的校驗糾錯性能，顯著降低了SSD的誤碼率，從10-17降低至10-18，延長了SSD的使用壽命。

據(jù)華為數(shù)據(jù)存儲部門發(fā)布的信息，這些創(chuàng)新技術(shù)的綜合應(yīng)用，使得華為SSD的使用壽命得到了顯著提升，延長了30-50%。這一成果不僅提升了SSD的可靠性，也為大規(guī)模數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用提供了更為堅實的支持。

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