三星和韓科院已就FinFET技術專利訴訟達成和解

據(jù)韓媒TheElec報道，三星和韓國科學技術院（KAIST）已就FinFET技術專利訴訟達成和解。

圖源：TheElec

據(jù)悉，涉案的FinFET專利允許芯片在提高性能的同時降低功率，最初由KAIST和首爾國立大學教授Lee Jong-ho合作開發(fā)，并于2001年在美國和韓國獲得了該項技術的專利。

KAIST于2016年11月29日在美國德克薩斯州地方法院對三星、高通和Global Founderies提起訴訟，指控他們在未經許可的情況下使用了其FinFET專利。2018年6月，陪審團裁定三星的侵權金額達4億美元。

此外，KAIST于2019年2月再次起訴三星，聲稱盡管有之前的判決，三星仍在繼續(xù)侵犯專利。并指出三星在其應用處理器中使用的14、11、10、8和7nm FinFET技術侵犯了其專利，將三星自2016年起推出的智能手機列為侵權產品。

今年2月，法院裁決三星賠償2億美元。不過現(xiàn)在三星和KAIST已達成和解，交易的詳細條款還尚未得知。

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