功耗降低30% 臺(tái)積電3nm快馬加鞭：2021年正式量產(chǎn)

在先進(jìn)半導(dǎo)體工藝上，臺(tái)積電已經(jīng)一騎絕塵了，其他人望不到尾燈了，今年量產(chǎn)了5nm，明年就輪到3nm了。

在昨天的說(shuō)法會(huì)上，臺(tái)積電公布了先進(jìn)工藝的最新進(jìn)展，5nm工藝已經(jīng)量產(chǎn)，良率很好，同時(shí)還在提升EUV工藝的效率及性能。

5nm工藝今年有華為麒麟9000及蘋(píng)果A14兩個(gè)客戶，后續(xù)還會(huì)增加，預(yù)計(jì)今年貢獻(xiàn)8%的收入，明年會(huì)增加的雙位數(shù)以上。

5nm之后還會(huì)有4nm工藝，不過(guò)4nm只是5nm工藝的改進(jìn)版，完全兼容，進(jìn)一步提升性能、能效及密度，2021年Q4季度投產(chǎn)，2022年規(guī)模量產(chǎn)。

在之后就是3nm節(jié)點(diǎn)了，這將是臺(tái)積電另外一個(gè)長(zhǎng)期存在的高性能節(jié)點(diǎn)。

與5nm工藝相比，3nm的晶體管密度提升70%，性能提升15%或者功耗降低30%，同時(shí)繼續(xù)使用FinFET工藝，技術(shù)成熟度更高。

至于3nm的生產(chǎn)時(shí)間，臺(tái)積電表示會(huì)在2021年開(kāi)始量產(chǎn)，并最終在2022年下半年實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。

從臺(tái)積電的表態(tài)來(lái)看，3nm節(jié)點(diǎn)的進(jìn)展很順利，量產(chǎn)時(shí)間要比之前的傳聞還要早一些。

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