三星在最近的IEEE國際固態(tài)電路會議上，分享了自家在3nm GAE MBCEFET芯片制造方面的一些細節(jié)。
根據(jù)DigiTimes發(fā)布的最新把報告，臺積電的3nm工藝將在今年下半年開始試產(chǎn)。近年來，三星和臺積電在先進工藝制程方面的競爭愈發(fā)激烈。雖然三星一直處于落后于臺積電的位置，但也在不停追趕。
據(jù)悉，在3nm工藝方面，臺積電仍是堅持使用FinFET技術，但三星卻選擇了向納米片晶體管過渡。
根據(jù)三星電子副總裁Taejoong Song在會上的說法，納米片結構的晶體管將是一個成功的設計，因為這一技術可以提供“高速度、低功耗和小面積”。
其實，早在2019年，三星就搶先公布了3nm工藝，并明確表示放棄FinFET。三星將旗下的3nm工藝分為3GAE和3GAP，在會上三星表示，3GAE工藝節(jié)點將會實現(xiàn)高達30%的性能提升，同時功耗可以降低50%，晶體管密度也可以提高80%。
由于在7nm、5nm工藝節(jié)點上都落后于臺積電，所以三星對于3nm工藝寄予厚望，希望借納米片晶體管實現(xiàn)對臺積電的超車。
據(jù)悉，三星的3GAE工藝預計將在2022年正式推出，而此次在會上展示的諸多細節(jié)也表明，三星在3nm工藝方面又往前邁了一步。
從三星3GAE工藝推出的時間節(jié)點來看，三星和臺積電無疑將在2022年，針對3nm先進工藝，展開更為激烈的比拼。
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