北京時間6月9日消息（艾斯）三星官網(wǎng)今日發(fā)布消息稱，該公司已推出了基于8納米工藝的最新射頻技術(shù)。
三星表示，這一先進的工藝技術(shù)有望提供專門用于支持多通道和多天線芯片設計的5G通信“單芯片解決方案”。三星的8納米射頻平臺將把該公司在5G半導體市場的領導地位從Sub-6GHz頻段擴展至毫米波應用。
三星的8納米射頻工藝技術(shù)是對目前已經(jīng)廣泛使用的包括28納米和14納米在內(nèi)的射頻相關(guān)解決方案的最新補充。自2017年以來，三星為高端智能手機出貨了超過5億顆移動終端射頻芯片。
“通過卓越的創(chuàng)新和工藝制造，我們加強了我們的下一代無線通信產(chǎn)品。”三星電子代工技術(shù)開發(fā)團隊主管Hyung Jin Lee表示。“隨著5G毫米波的擴展，對于那些在緊湊型移動終端上尋求實現(xiàn)更長電池壽命和出色信號質(zhì)量的客戶來說，三星8納米射頻將成為一個很好的解決方案。”
隨著向先進節(jié)點的不斷擴展，數(shù)字電路在性能、功耗和面積(PPA)方面得到了顯著改善，而模擬/射頻模塊由于退化寄生效應（例如窄線寬引起的電阻增加）而沒有得到這種改善。因此，大多數(shù)通信芯片趨向于出現(xiàn)射頻特性退化，例如接收頻率放大性能劣化和功耗增加。
為了克服模擬/射頻擴展方面的挑戰(zhàn)，三星開發(fā)了一種獨特的8納米射頻專用架構(gòu)，名為RFextremeFET (RFeFET)，可以顯著改善射頻特性，同時降低功耗。與14納米射頻相比，三星的RFeFET補充了數(shù)字PPA擴展，同時恢復了模擬/射頻擴展，從而實現(xiàn)了高性能5G平臺。
三星在新聞稿中寫道，三星的工藝優(yōu)化最大限度地提高了通道移動性，同時最大限度地減少了寄生效應。由于RFeFET的性能大幅提升，射頻芯片的晶體管總數(shù)和模擬/射頻塊的面積可以實現(xiàn)減小。與14納米射頻相比，由于采用RFeFET架構(gòu)創(chuàng)新，三星的8納米射頻工藝技術(shù)將功率效率提高了35%，而射頻芯片面積減少了35%。
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