UP·2021展銳線上生態(tài)峰會：產(chǎn)業(yè)共話半導(dǎo)體先進(jìn)制造技術(shù)創(chuàng)新

9月16日消息 5G與云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、人工智能等新技術(shù)的結(jié)合，將開啟萬物智聯(lián)的數(shù)字新世界。而在人們生活和千行百業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型過程中，芯片是所有數(shù)字化硬件基礎(chǔ)設(shè)施和終端設(shè)備的產(chǎn)業(yè)制高點(diǎn)，半導(dǎo)體制造更是產(chǎn)業(yè)鏈的核心環(huán)節(jié)。

隨著近幾年指導(dǎo)芯片發(fā)展的“摩爾定律”基本失效，尋找延續(xù)半導(dǎo)體繼續(xù)進(jìn)步的新驅(qū)動力成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。市場對“更小、更快、功耗更低、集成度更高”的芯片性能要求，正在驅(qū)動從工藝到材料到封裝等先進(jìn)制造技術(shù)的產(chǎn)生和發(fā)展。后摩爾時代，先進(jìn)封裝已經(jīng)成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展的重要方向。

5G時代，半導(dǎo)體制造技術(shù)面臨哪些新挑戰(zhàn)和新趨勢？半導(dǎo)體制造技術(shù)又該如何滿足“萬物智聯(lián)”的產(chǎn)業(yè)需求呢？對此，在9月16日舉辦的“UP·2021展銳線上生態(tài)峰會”期間的“半導(dǎo)體先進(jìn)制造技術(shù)創(chuàng)新”技術(shù)論壇上，來自半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商代表、技術(shù)專家，共同探討了半導(dǎo)體先進(jìn)制造技術(shù)創(chuàng)新的現(xiàn)在與未來。

業(yè)界普遍認(rèn)為，SiP是超越摩爾定律的重要實(shí)現(xiàn)路徑。展銳封裝設(shè)計(jì)工程部部長尹紅成指出：SiP封裝的特點(diǎn)是數(shù)字模擬分開，根據(jù)需要導(dǎo)入先進(jìn)工藝，能很好的解決不同工藝芯片的異質(zhì)集成問題。SiP的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在：系統(tǒng)設(shè)計(jì)靈活、空間利用率高、上市時間短、更高性能、單板系統(tǒng)簡潔度高、可靠性高等。例如，與模組廠家的模組相比，展銳自己開發(fā)的SiP芯片模組面積縮小45%、上市時間提前4個月、RF性能提高0.5-1.5dB，系統(tǒng)可靠性顯著提高。

展銳封裝設(shè)計(jì)工程部部長尹紅成

從基板、封測到設(shè)計(jì)公司，再到終端客戶，形成了完整的SiP產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈。尹紅成表示：生態(tài)鏈中包含了許多優(yōu)秀的公司，展銳有先進(jìn)的SiP封裝技術(shù)的應(yīng)用和豐富產(chǎn)品形態(tài)，展銳期待與生態(tài)鏈合作伙伴一起“相異相補(bǔ)，協(xié)調(diào)統(tǒng)一，和諧共進(jìn)”，最終實(shí)現(xiàn)合和共生，共同用先進(jìn)SiP封裝技術(shù)超越摩爾定律。

江蘇長電科技股份有限公司技術(shù)開發(fā)總監(jiān)陳棟

江蘇長電科技股份有限公司技術(shù)開發(fā)總監(jiān)陳棟表示：封裝是連接芯片與PDP板之間的橋梁，受晶圓制造技術(shù)的牽引，封裝技術(shù)不斷向著更高密度、更高集成度方向發(fā)展，不僅加速了封裝技術(shù)的發(fā)展，也推動了半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展。陳棟介紹了長電科技目前在多維fan-out封裝系列解決方案和其在不同客戶端領(lǐng)域的應(yīng)用情況。據(jù)了解，長電科技已經(jīng)推出XDFOI™全系列極高密度扇出型封裝解決方案，旨在為全球客戶高度關(guān)注的芯片異構(gòu)集成提供高性價比、高集成度、高密度互聯(lián)和高可靠性的解決方案，引領(lǐng)先進(jìn)芯片成品制造技術(shù)創(chuàng)新邁向新高度。

SPIL的資深專家王愉博

SPIL的資深專家王愉博表示：當(dāng)前，5G是推動半導(dǎo)體增長的主要驅(qū)動力，特別是封裝市場的發(fā)展。5G毫米波發(fā)展迅速，頻率更高，帶寬更大，毫米波主要應(yīng)用場景是大帶寬移動數(shù)據(jù)（如高質(zhì)量視頻、云游戲）、特定領(lǐng)域（如體育場館、展覽館等）、大帶寬數(shù)據(jù)傳輸和專網(wǎng)垂直行業(yè)等。與此同時，5G毫米波技術(shù)對新興SiP封裝技術(shù)的需求不斷擴(kuò)大，對AiP高頻器件的要求也將提高，利用SiP體積小、集成度高、損耗小等特點(diǎn)，將實(shí)現(xiàn)天線在封裝上集成成為必然趨勢。SPIL在AiP毫米波天線技術(shù)上積累了豐富的設(shè)計(jì)、仿真、測試和量產(chǎn)的經(jīng)驗(yàn)，將更好地支撐好客戶AiP產(chǎn)品的成功開發(fā)。

臺積電（中國）有限公司高級技術(shù)專家鄭茂朋

臺積電（中國）有限公司高級技術(shù)專家鄭茂朋表示：高密度、高集成度、高性能的需求，是晶圓級封裝集成的推動力。為此，臺積電先后推出了COWOS、inFo和3D-SOIC wafer level封裝技術(shù)平臺并實(shí)現(xiàn)平臺的標(biāo)準(zhǔn)化和歸一化，從而實(shí)現(xiàn)技術(shù)的快速催熟，幫助客戶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的開發(fā)并快速推向市場。據(jù)了解，通過與合作伙伴持續(xù)創(chuàng)新，臺積電將SoIC、inFo、CoWoS等3DIC平臺整合在一起，推出了“TSMC 3DFabric”，持續(xù)提供業(yè)界最完整且最多用途的解決方案，整合邏輯chiplet、高頻寬存儲器、特殊制程芯片，實(shí)現(xiàn)更多創(chuàng)新產(chǎn)品。臺積電將發(fā)揮最大的功效去整合現(xiàn)有最前衛(wèi)的封裝技術(shù)，為客戶下一代產(chǎn)品的設(shè)計(jì)提供更多創(chuàng)新想法。

北京華大九天第三研發(fā)中心總經(jīng)理、上海子公司副總經(jīng)理朱能勇

北京華大九天第三研發(fā)中心總經(jīng)理、上海子公司副總經(jīng)理朱能勇表示：隨著集成電路近幾年的高速發(fā)展，面向5G及萬物互聯(lián)的應(yīng)用對于性能和功耗都提出了更高要求，面對產(chǎn)品性能、功耗及良率的更高要求，設(shè)計(jì)越來越重視設(shè)計(jì)與工藝協(xié)同優(yōu)化。與傳統(tǒng)工藝設(shè)計(jì)協(xié)同優(yōu)化方式周期長、效率低、效果差不同的是，以設(shè)計(jì)出發(fā)的設(shè)計(jì)-工藝協(xié)同分析優(yōu)化主要從設(shè)計(jì)產(chǎn)品出發(fā)，讓工藝更適應(yīng)芯片需求，并對工藝調(diào)整提供精確目標(biāo)，從而實(shí)現(xiàn)PPA性能及良率的提升；基于模型和設(shè)計(jì)Signoff標(biāo)準(zhǔn)，讓芯片更有競爭力。華大九天為此提供了從超快速異構(gòu)仿真技術(shù)與Monte-Carlo分析、先進(jìn)工藝庫分析驗(yàn)證和Spice精度時序分析一整套解決方案，為設(shè)計(jì)效率、性能和良率提升保駕護(hù)航。

愛德萬測試(中國)管理有限公司專家工程師陳浩

愛德萬測試(中國)管理有限公司專家工程師陳浩表示：5G收發(fā)器由于涉及頻率范圍廣、射頻端口增加、復(fù)雜的設(shè)備設(shè)置和更高的帶寬等特點(diǎn)，給ATE帶來了巨大挑戰(zhàn)。針對5G DigRF 多端口、高帶寬、測試內(nèi)容劇增、更高帶寬等挑戰(zhàn)，愛德萬測試結(jié)合UNISOC 5G Transceiver ATE測試的硬件設(shè)計(jì)以及量產(chǎn)測試程序開發(fā)，實(shí)現(xiàn)5G多端口新頻段、高速DigRF接口以及MIMO并行測試解決方案，提升了測試質(zhì)量和效率。

JMP中國數(shù)據(jù)分析經(jīng)理徐湛

如何正確使用機(jī)器學(xué)習(xí)，來解決半導(dǎo)體行業(yè)難題？JMP中國數(shù)據(jù)分析經(jīng)理徐湛表示：伴隨半導(dǎo)體行業(yè)的數(shù)據(jù)采集能力持續(xù)增強(qiáng)，數(shù)據(jù)分析業(yè)務(wù)場景日趨復(fù)雜，通過挖掘數(shù)據(jù)背后信息解決實(shí)際業(yè)務(wù)問題、支持量化決策的價值日益突顯。在面對一些復(fù)雜數(shù)據(jù)分析業(yè)務(wù)場景時，傳統(tǒng)統(tǒng)計(jì)分析方法存在局限性，而選擇適配的機(jī)器學(xué)習(xí)方法無疑是其良好補(bǔ)充，從而保障分析效果，同時提高分析效率。機(jī)器學(xué)習(xí)方法的導(dǎo)入，有助于企業(yè)級的數(shù)據(jù)分析平臺和工程能力建設(shè)，從而支撐智能工廠理念落地。

長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官霍宗亮

長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官霍宗亮表示：3D NAND向更高堆疊層數(shù)發(fā)展是大容量閃存技術(shù)的主流趨勢。隨著材料和設(shè)備的進(jìn)步，3D NAND存儲器未來10年將繼續(xù)延續(xù)摩爾定律，增加密度，提高容量。同時3D NAND的技術(shù)發(fā)展需要解決諸如IO速度、密度、器件可靠性、研發(fā)制造周期等種種挑戰(zhàn)。長江存儲通過差異化技術(shù)路線，創(chuàng)造出性能更高、耐用性和數(shù)據(jù)安全性更好的大容量3D NAND閃存方案，同時也致力于構(gòu)建系統(tǒng)級解決方案，成為合作伙伴值得信賴的、持續(xù)創(chuàng)新的存儲方案提供商。

嘉賓們通過深入的技術(shù)解析，讓我們看到了半導(dǎo)體制造各個細(xì)分領(lǐng)域最新關(guān)鍵技術(shù)的發(fā)展、挑戰(zhàn)和應(yīng)用狀態(tài)，讓業(yè)界對半導(dǎo)體制造技術(shù)日新月異的發(fā)展方向及行業(yè)趨勢有深入的了解和洞察。

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