源杰半導體擬赴科創(chuàng)板IPO:募資9.8億元,加碼光芯片產(chǎn)業(yè)

1月19日消息(水易)近日,上交所官網(wǎng)顯示,陜西源杰半導體科技股份有限公司科創(chuàng)板IPO已獲得受理。

源杰半導體招股說明書顯示,本次擬發(fā)行股份不超過1500萬股,擬募集資金人民幣9.8億元,主要用于10G、25G光芯片產(chǎn)線建設(shè)項目,50G光芯片產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項目,研發(fā)中心建設(shè)項目以及補充流動資金。

據(jù)了解, 源杰半導體成立于2013年,聚焦于光芯片行業(yè),主營業(yè)務(wù)為光芯片的研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)與銷售,主要產(chǎn)品包括 2.5G、10G 、25G 及更高速率激光器芯片等系列產(chǎn)品,目前主要應(yīng)用于光纖接入、4G/5G移動通信網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。

在光芯片領(lǐng)域,歐美日國家起步較早、技術(shù)領(lǐng)先,近年來我國政府在光電子技術(shù)產(chǎn)業(yè)進行重點政策布局,中國電子元件行業(yè)協(xié)會發(fā)布《中國光電子器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展路線圖(2018-2022 年)》,明確2022年25G及以上速率DFB激光器芯片國產(chǎn)化率超過60%,實現(xiàn)高端光芯片逐步國產(chǎn)替代的目標。

招股說明書顯示,源杰半導體正在加速研發(fā)下一代激光器芯片產(chǎn)品,并積極拓展光芯片在其他領(lǐng)域的應(yīng)用。目前,在光通信領(lǐng)域已著手50G、100G高速率激光器芯片產(chǎn)品以及硅光直流光源大功率激光器芯片產(chǎn)品的商用推進,力圖實現(xiàn)在高端激光器芯片產(chǎn)品的特性及可靠性方面對美、日壟斷企業(yè)的全面對標。同時已與部分激光雷達廠商達成合作意向,努力實現(xiàn)新技術(shù)領(lǐng)域的彎道超車。

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2022-01-19
源杰半導體擬赴科創(chuàng)板IPO:募資9.8億元,加碼光芯片產(chǎn)業(yè)
源杰半導體擬赴科創(chuàng)板IPO:募資9.8億元,加碼光芯片產(chǎn)業(yè),C114訊 1月19日消息(水易)近日,上交所官網(wǎng)顯示,陜西源杰半導體科技股份有限公司科創(chuàng)板IPO已

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