中科院半導(dǎo)體研究所公開(kāi)一項(xiàng)集成光子芯片專利 可提升光模塊性能

12月15日消息（南山）據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所近日公開(kāi)了一項(xiàng)集成光子芯片專利，公開(kāi)號(hào)：CN117170016A。

專利簡(jiǎn)介如下：

大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算等領(lǐng)域的快速發(fā)展使信息存儲(chǔ)和交換的媒介逐漸向數(shù)據(jù)中心遷移，數(shù)據(jù)中心的規(guī)模迅速增長(zhǎng)，相應(yīng)的接口密度與數(shù)據(jù)帶寬持續(xù)增加。光通信因?yàn)榇髱?、低損耗、抗電磁干擾的特點(diǎn)，光模塊也在數(shù)據(jù)中心得到了廣泛應(yīng)用。

數(shù)據(jù)流量的爆炸式增長(zhǎng)要求數(shù)據(jù)中心的交換架構(gòu)在小體積的前提下向更高速率、更高通信容量發(fā)展，基于等離激元、光子晶體等新材料新結(jié)構(gòu)體系的光模塊中的核心光電器件速率更高，器件尺寸也更小，預(yù)計(jì)光子芯片的尺寸可以降低至百微米量級(jí)。屆時(shí)，封裝將會(huì)成為制約光模塊速率提升、控制生產(chǎn)成本的重要因素。

鑒于上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種高集成度光子芯片結(jié)構(gòu)，已解決傳統(tǒng)光模塊中光子芯片密度受限，且端面耦合方式帶來(lái)的在線測(cè)試不方便等問(wèn)題。

本發(fā)明實(shí)施例提出了一種高集成度的垂直封裝光子集成芯片結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)中硅襯底可以被頂層和底層功能層共用，進(jìn)一步提高封裝密度，滿足高密度光模塊的發(fā)展需求。通過(guò)將光電器件分別排布在光子芯片的上下兩層功能層中，光模塊發(fā)射端和接收端的串?dāng)_也將得到明顯抑制。此外，這種垂直封裝的光子芯片可以采用光柵與光纖陣列耦合，便于在線批量檢測(cè)。光子芯片上用于與外部電芯片互聯(lián)的焊盤(pán)可以根據(jù)電芯片的高度任意調(diào)節(jié)，便于縮短鍵合引線長(zhǎng)度，降低寄生效應(yīng)，進(jìn)一步提高光模塊的速率。

因?yàn)楣庾有酒c電芯片垂直封裝，光子芯片與電芯片互聯(lián)的焊盤(pán)可以放置于相同高度處，以便縮短鍵合引線的長(zhǎng)度，獲得更好的高頻性能，具有潛在的經(jīng)濟(jì)與應(yīng)用價(jià)值，有望在集成光學(xué)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

生成海報(bào)

免責(zé)聲明：本網(wǎng)站內(nèi)容主要來(lái)自原創(chuàng)、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿，凡在本網(wǎng)站出現(xiàn)的信息，均僅供參考。本網(wǎng)站將盡力確保所提供信息的準(zhǔn)確性及可靠性，但不保證有關(guān)資料的準(zhǔn)確性及可靠性，讀者在使用前請(qǐng)進(jìn)一步核實(shí)，并對(duì)任何自主決定的行為負(fù)責(zé)。本網(wǎng)站對(duì)有關(guān)資料所引致的錯(cuò)誤、不確或遺漏，概不負(fù)任何法律責(zé)任。任何單位或個(gè)人認(rèn)為本網(wǎng)站中的網(wǎng)頁(yè)或鏈接內(nèi)容可能涉嫌侵犯其知識(shí)產(chǎn)權(quán)或存在不實(shí)內(nèi)容時(shí)，應(yīng)及時(shí)向本網(wǎng)站提出書(shū)面權(quán)利通知或不實(shí)情況說(shuō)明，并提供身份證明、權(quán)屬證明及詳細(xì)侵權(quán)或不實(shí)情況證明。本網(wǎng)站在收到上述法律文件后，將會(huì)依法盡快聯(lián)系相關(guān)文章源頭核實(shí)，溝通刪除相關(guān)內(nèi)容或斷開(kāi)相關(guān)鏈接。