硅光技術(shù)重大突破!國(guó)內(nèi)首款2Tb/s三維集成硅光芯粒成功出樣

5月11日消息 據(jù)國(guó)家信息光電子創(chuàng)新中心公眾號(hào)消息,近日,國(guó)家信息光電子創(chuàng)新中心(NOEIC)和鵬城實(shí)驗(yàn)室的光電融合聯(lián)合團(tuán)隊(duì)完成了2Tb/s硅光互連芯粒(chiplet)的研制和功能驗(yàn)證,在國(guó)內(nèi)首次驗(yàn)證了3D硅基光電芯粒架構(gòu),實(shí)現(xiàn)了單片最高達(dá)8×256Gb/s的單向互連帶寬。

據(jù)了解,團(tuán)隊(duì)在2021年1.6T硅光互連芯片的基礎(chǔ)上,進(jìn)一步突破了光電協(xié)同設(shè)計(jì)仿真方法,研制出硅光配套的單路超200G driver和TIA芯片,并攻克了硅基光電三維堆疊封裝工藝技術(shù),形成了一整套基于硅光芯片的3D芯粒集成方案。

2Tb/s 硅基3D集成光發(fā)射芯粒

2Tb/s 硅基3D集成光接收芯粒

硅光互連芯粒的側(cè)向顯微鏡結(jié)構(gòu)

該方案充分利用了硅光與CMOS封裝工藝兼容的特點(diǎn),相比于傳統(tǒng)wirebond方案,3D芯粒能解決電芯片與光芯片間高密度、高帶寬電互連的困難,顯著降低射頻信號(hào)在光-電芯片互連過(guò)程中的嚴(yán)重衰減。經(jīng)系統(tǒng)傳輸測(cè)試,8個(gè)通道在下一代光模塊標(biāo)準(zhǔn)的224Gb/s PAM4光信號(hào)速率下,TDECQ均在2dB以?xún)?nèi)。通過(guò)進(jìn)一步鏈路均衡,最高可支持速率達(dá)8×256Gb/s,單片單向互連帶寬高達(dá)2Tb/s。

8×224Gb/s硅基光發(fā)射芯粒輸出眼圖

據(jù)透露,該工作充分展現(xiàn)了3D集成硅光芯粒的優(yōu)越互連性能,以及聯(lián)合團(tuán)隊(duì)的領(lǐng)先自主研發(fā)水平。成果將廣泛應(yīng)用于下一代算力系統(tǒng)和數(shù)據(jù)中心所需的CPO、NPO、LPO、LRO等各類(lèi)光模塊產(chǎn)品中,為國(guó)內(nèi)信息光電子技術(shù)的率先突圍探索出可行路徑。

硅光已經(jīng)是目前全球光模塊市場(chǎng)的主流技術(shù)之一。LightCounting此前預(yù)計(jì),使用基于SiP的光模塊市場(chǎng)份額將從2022年的24%增加到2028年的44%。

極客網(wǎng)企業(yè)會(huì)員

免責(zé)聲明:本網(wǎng)站內(nèi)容主要來(lái)自原創(chuàng)、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿,凡在本網(wǎng)站出現(xiàn)的信息,均僅供參考。本網(wǎng)站將盡力確保所提供信息的準(zhǔn)確性及可靠性,但不保證有關(guān)資料的準(zhǔn)確性及可靠性,讀者在使用前請(qǐng)進(jìn)一步核實(shí),并對(duì)任何自主決定的行為負(fù)責(zé)。本網(wǎng)站對(duì)有關(guān)資料所引致的錯(cuò)誤、不確或遺漏,概不負(fù)任何法律責(zé)任。任何單位或個(gè)人認(rèn)為本網(wǎng)站中的網(wǎng)頁(yè)或鏈接內(nèi)容可能涉嫌侵犯其知識(shí)產(chǎn)權(quán)或存在不實(shí)內(nèi)容時(shí),應(yīng)及時(shí)向本網(wǎng)站提出書(shū)面權(quán)利通知或不實(shí)情況說(shuō)明,并提供身份證明、權(quán)屬證明及詳細(xì)侵權(quán)或不實(shí)情況證明。本網(wǎng)站在收到上述法律文件后,將會(huì)依法盡快聯(lián)系相關(guān)文章源頭核實(shí),溝通刪除相關(guān)內(nèi)容或斷開(kāi)相關(guān)鏈接。

2024-05-11
硅光技術(shù)重大突破!國(guó)內(nèi)首款2Tb/s三維集成硅光芯粒成功出樣
硅光技術(shù)重大突破!國(guó)內(nèi)首款2Tb/s三維集成硅光芯粒成功出樣,C114訊 5月11日消息 據(jù)國(guó)家信息光電子創(chuàng)新中心公眾號(hào)消息,近日,國(guó)家信息光電子創(chuàng)新中心(NOE

長(zhǎng)按掃碼 閱讀全文