ROHM的SiC功率元器件被應(yīng)用于UAES的電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC功率元器件(SiC MOSFET*1)被應(yīng)用于中國(guó)汽車(chē)行業(yè)一級(jí)綜合性供應(yīng)商——聯(lián)合汽車(chē)電子有限公司(United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ,總部位于中國(guó)上海市,以下簡(jiǎn)稱(chēng)“UAES公司”)的電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器(On Board Charger,以下簡(jiǎn)稱(chēng)“OBC”)。UAES公司預(yù)計(jì)將于2020年10月起向汽車(chē)制造商供應(yīng)該款OBC。

與IGBT*2等Si(硅)功率元器件相比,SiC功率元器件是一種能夠顯著降低損耗的半導(dǎo)體,在電動(dòng)汽車(chē)以及基礎(chǔ)設(shè)施、環(huán)境/能源、工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。

ROHM于2010年全球首家開(kāi)始SiC MOSFET的量產(chǎn),作為SiC功率元器件的領(lǐng)軍企業(yè),ROHM一直在推動(dòng)世界先進(jìn)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。另外,在汽車(chē)領(lǐng)域,ROHM于2012年在業(yè)界率先開(kāi)始供應(yīng)車(chē)載產(chǎn)品,并在電動(dòng)汽車(chē)的快速充電用車(chē)載充電器領(lǐng)域擁有很高的市場(chǎng)份額,該產(chǎn)品在電動(dòng)汽車(chē)的電機(jī)和逆變器中的采用也日益加速。

此次,ROHM的SiC MOSFET被UAES公司的OBC產(chǎn)品采用,與以往的OBC相比,新OBC所在單元的效率提高了1%(效率高達(dá)95.7%,功率損耗比以往降低約20%)。并且,這一先進(jìn)的解決方案獲得了UAES頒發(fā)的2019年度最佳技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)。

未來(lái),ROHM將作為SiC功率元器件的領(lǐng)軍企業(yè),不斷壯大產(chǎn)品陣容,并結(jié)合充分發(fā)揮元器件性能的控制IC等外圍元器件和模塊化技術(shù)優(yōu)勢(shì),繼續(xù)提供有助于下一代汽車(chē)技術(shù)創(chuàng)新的電源解決方案。

<關(guān)于聯(lián)合汽車(chē)電子有限公司(UAES)>

UAES公司是中聯(lián)汽車(chē)電子有限公司和德國(guó)羅伯特·博世有限公司在中國(guó)的合資企業(yè),是汽車(chē)行業(yè)一級(jí)綜合供應(yīng)商。自1995年成立以來(lái),該公司已在中國(guó)市場(chǎng)獲得了引擎控制單元和燃油汽車(chē)動(dòng)力總成業(yè)務(wù)領(lǐng)域極高的市場(chǎng)份額,2009年之后開(kāi)始面向電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域開(kāi)發(fā)包括主機(jī)逆變器在內(nèi)的產(chǎn)品。

<采用SiC MOSFET的好處>

在大功率(高電壓×大電流)范圍中,與Si-IGBT相比,SiC MOSFET具有“開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗*3小”、“抗溫度變化能力強(qiáng)”等優(yōu)點(diǎn)。得益于這些優(yōu)點(diǎn),當(dāng)SiC MOSFET用于電動(dòng)汽車(chē)的車(chē)載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品中時(shí),可降低功率轉(zhuǎn)換時(shí)的損耗并實(shí)現(xiàn)散熱部件的小型化,高頻工作還可實(shí)現(xiàn)線圈小型化,從而有助于提高應(yīng)用的效率、減少部件數(shù)量并縮減安裝面積。

<術(shù)語(yǔ)解說(shuō)>

*1) MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的縮寫(xiě))

金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是FET中最常用的結(jié)構(gòu)。用作開(kāi)關(guān)元件。

*2) IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極晶體管)

同時(shí)具有MOSFET的高速開(kāi)關(guān)特性和雙極晶體管的低傳導(dǎo)損耗特性的功率晶體管。

*3) 傳導(dǎo)損耗、開(kāi)關(guān)損耗

因元器件結(jié)構(gòu)的緣故,MOSFET和IGBT等晶體管在使用時(shí)會(huì)產(chǎn)生損耗。傳導(dǎo)損耗是電流流過(guò)元器件時(shí)(ON狀態(tài)時(shí)),受元器件的電阻分量影響而產(chǎn)生的損耗。開(kāi)關(guān)損耗是切換元器件的通電狀態(tài)時(shí)(開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí))產(chǎn)生的損耗。

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