7nm工藝三星可能再次領(lǐng)先臺積電

三星半導(dǎo)體高管確認(rèn)明年初正式投產(chǎn)7nm工藝，由于臺積電眼下正面臨諸多問題，很可能前者在7nm工藝上將贏得領(lǐng)先優(yōu)勢，對后者是一個重大的負(fù)面影響。

三星在14nmFinFET工藝上首次領(lǐng)先臺積電，并幫助它推出的Exynos7420取得Android市場性能之王的稱號，這是它的一個重大勝利。

臺積電與三星14nmFinFET工藝相當(dāng)?shù)?6nmFinFET工藝研發(fā)可謂一波多折。2014年在華為海思的幫助下它首先研發(fā)出16nm工藝，不過由于能效不佳，甚至比20nm還要差，并沒獲得芯片企業(yè)的歡迎，華為海思也僅采用該工藝生產(chǎn)網(wǎng)通處理器。其后在華為海思的幫助下，到了2015年三季度才正式量產(chǎn)16nmFinFET，相比三星的14nmFinFET量產(chǎn)遲了近半年。

臺積電誓言要在10nm工藝上挽回聲譽，因此積極推進(jìn)該工藝研發(fā)，臺媒也頻傳它研發(fā)進(jìn)展順利，不過三星去年10月率先宣布其10nm工藝投入量產(chǎn)并用該工藝生產(chǎn)高通的驍龍835芯片，而臺積電用10nm工藝生產(chǎn)的聯(lián)發(fā)科helio X30則至今未能上市，無疑三星在10nm工藝上再次領(lǐng)先于臺積電。

臺積電當(dāng)下正遇到諸多問題。10nm工藝良率太低，這迫使它將更多的精力放在改進(jìn)該工藝上；臺積電的最大客戶正要求臺積電提升10nm工藝產(chǎn)能以投產(chǎn)期A10X、A11芯片，這也耗去它大量資源；為提供更佳的性價比它同時在研發(fā)12nmFinFET工藝，這是在16nmFinFET工藝改進(jìn)推出的工藝。在這樣的情況下它能給7nm工藝提供的資源將受到一定的牽扯。

在16nmFinFET工藝延遲量產(chǎn)看，臺積電已失去了用戶的信任，也正因此華為海思去年并沒有等待它的10nm工藝，而是為了確保高端芯片麒麟960的及時上市而采用了成熟的16nmFinFET工藝；也因為在16nmFinFET工藝上它優(yōu)先照顧蘋果華為海思沒有在10nm工藝上與臺積電如16nmFinFET工藝一樣全力合作，當(dāng)然這也讓其他芯片企業(yè)吸取教訓(xùn)，在與臺積電開發(fā)最新工藝的時候全力投入。

對于工藝研發(fā)來說，任何工藝都需要芯片企業(yè)的幫助，以發(fā)現(xiàn)工藝研發(fā)中存在的問題，如今臺積電的眾多客戶都不愿全力協(xié)助，自然臺積電開發(fā)7nm工藝會面臨困難。三星顯然不存在這樣的問題，它可以借助自己的存儲芯片錘煉7nm工藝，自己的芯片部門和高通也在積極協(xié)助該工藝的研發(fā)。

因此筆者相信三星的7nm工藝應(yīng)該能如它的計劃那樣在明年初投產(chǎn)，而臺積電的7nm工藝研發(fā)則存在相當(dāng)大的變數(shù)，比三星的量產(chǎn)時間要遲的概率是相當(dāng)大的。

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