Intel不爭氣，7nm再延后兩年將徹底落敗

據(jù)相關(guān)消息，Intel的7nm工藝將再延后兩年到2022年量產(chǎn)，這意味著這家半導(dǎo)體巨頭將在半導(dǎo)體制造工藝方面徹底落后于三星和臺積電。

眼下的半導(dǎo)體制造工藝競賽，臺積電和三星將在今年底量產(chǎn)10nm工藝，而Intel要到明年上半年量產(chǎn)10nm工藝，從數(shù)字方面來看臺積電和三星已領(lǐng)先于Intel。

不過據(jù)聯(lián)發(fā)科和高通這些客戶證實(shí)，臺積電和三星當(dāng)下的14/16nmFinFET工藝其實(shí)要落后于Intel的14nmFinFET工藝，大約相當(dāng)或稍微領(lǐng)先Intel的20nmFinFET工藝，或許稱為19nmFinFET更合適。

當(dāng)然臺積電和三星的10nm工藝也就只是稍微領(lǐng)先于Intel的14nmFinFET工藝，估算大約相當(dāng)于12nmFinFET工藝，而Intel在明年正式量產(chǎn)10nm工藝后將再度獲得領(lǐng)先臺積電和三星的優(yōu)勢。

至于臺積電和三星積極推動在2018年量產(chǎn)的7nm工藝，Intel則通過不斷改良其10nm工藝來贏得與其相當(dāng)?shù)哪苄?，確保雙方處于同一水平上。

臺積電和三星預(yù)計(jì)在2020年量產(chǎn)5nm工藝，按Intel的計(jì)劃它本應(yīng)在同年量產(chǎn)7nm工藝的，但是從這份資料顯示它要延遲到2022年才能量產(chǎn)，那就意味著臺積電和三星的5nm工藝將保持至少兩年時間的領(lǐng)先優(yōu)勢，這對Intel將是重大打擊。

Intel贏得芯片競爭優(yōu)勢，是通過設(shè)計(jì)新的芯片，然后再以領(lǐng)先的工藝優(yōu)勢增強(qiáng)自己的芯片性能優(yōu)勢。但是移動處理器芯片企業(yè)ARM這幾年開發(fā)的ARM架構(gòu)性能不斷提升，蘋果采用ARM授權(quán)開發(fā)的A9X處理器性能更是與酷睿M相當(dāng)，Intel的X86架構(gòu)性能優(yōu)勢被大幅縮窄，如果代工廠臺積電和三星在工藝方面實(shí)現(xiàn)領(lǐng)先將有助ARM架構(gòu)芯片的性能進(jìn)一步縮短與Intel處理器的差距。

ARM陣營的高通、聯(lián)發(fā)科、瑞芯微、華為海思、三星以群狼戰(zhàn)術(shù)贏得了移動市場的壟斷地位，在平板市場也占有優(yōu)勢地位，它們開始進(jìn)軍Intel占優(yōu)勢的PC和服務(wù)器芯片市場，在性能方面拉近與Intel的X86架構(gòu)處理器差距后將有助于它們攻入Intel的市場。

三星目前在10nm工藝方面并沒能獲得對臺積電的優(yōu)勢，特別的14nmFinFET工藝能效不如臺積電的16nmFF+后導(dǎo)致蘋果將其A10處理器全部交給臺積電生產(chǎn)而不是如A9那樣由臺積電和三星分享。目前三星的10nm工藝客戶主要是高通和三星，而臺積電的10nm工藝則獲得了蘋果、華為海思、聯(lián)發(fā)科等芯片企業(yè)的采用。

在這樣的情況下，三星正全力開發(fā)7nm工藝，并希望通過引入有利于開發(fā)10nm及以下工藝的EUV微技術(shù)來獲得對臺積電的工藝優(yōu)勢，EUV微技術(shù)同樣有利于半導(dǎo)體制造工廠開發(fā)5nm工藝。

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