梁孟松加盟，中國先進(jìn)半導(dǎo)體再獲強(qiáng)援

中芯國際作為國內(nèi)最大的半導(dǎo)體代工企業(yè)，在工藝研發(fā)方面一直努力追趕臺積電和聯(lián)電，而隨著中國大陸成為全球最大的芯片采購市場并努力推動國內(nèi)芯片企業(yè)的發(fā)展，臺積電和聯(lián)電也開始在中國大陸投資設(shè)廠，于是三家企業(yè)成為重要競爭對手。

中國大陸在2010年取代美國成為全球最大制造經(jīng)濟(jì)體，對全球經(jīng)濟(jì)產(chǎn)生了重要影響，到了2015年中國大陸生產(chǎn)了全球超過八成的手機(jī)，超過六成的平板電腦和電視，成為全球最大消費(fèi)電子生產(chǎn)國，采購的芯片占全球份額超過五成。

但是由于中國人工成本的上升迫使中國制造進(jìn)行產(chǎn)業(yè)升級，而芯片作為制造業(yè)的上游產(chǎn)業(yè)日益受到中國的重視，2014年中國推出了集成電路產(chǎn)業(yè)基金扶持中國芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展，這加速了中國芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

2015年全球芯片銷售額出現(xiàn)一定程度的下滑，而中國市場則繼續(xù)保持上升，加上各方的努力，中國本土芯片產(chǎn)業(yè)銷售額取得了高速的增長。據(jù)估算2015年中國大陸芯片設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)銷售額額達(dá)到1325億元，同比增長26.5%，涌現(xiàn)了華為海思、清華紫光、中興微、瑞芯微、君正等芯片設(shè)計(jì)企業(yè)，其中華為海思、紫光旗下的展訊更躋身全球前十大芯片設(shè)計(jì)企業(yè)。

在這樣的情況下，聯(lián)電、臺積電這兩大全球半導(dǎo)體代工廠開始強(qiáng)化進(jìn)軍中國大陸，在中國大陸建設(shè)更先進(jìn)的12寸半導(dǎo)體工廠，希望就近為中國芯片設(shè)計(jì)企業(yè)提供服務(wù)以獲得它們的支持，這就與中國大陸本土最大的半導(dǎo)體工廠中芯國際形成了競爭。

目前中芯國際是中國大陸最大的半導(dǎo)體代工廠，擁有最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，今年7月剛剛量產(chǎn)28nmHKMG工藝，為了獲得競爭優(yōu)勢決心研發(fā)14nmFinFET工藝，并且希望趕在2018年投產(chǎn)以與臺積電和聯(lián)電競爭。

聯(lián)電在廈門建設(shè)的12寸半導(dǎo)體工廠已投入量產(chǎn)，不過由于它的14nm工藝進(jìn)展未如預(yù)期，由于臺灣當(dāng)局要求臺積電和聯(lián)電在臺灣量產(chǎn)的工藝要領(lǐng)先它們在大陸投產(chǎn)的工藝一個世代，因此聯(lián)電未能如愿在廈門工廠投產(chǎn)28nm工藝而只能采用40nm工藝，即使明年其在臺灣正式量產(chǎn)14nmFinFET工藝然后在廈門工廠引入28nm工藝，但是中芯國際的28nmHKMG已相當(dāng)成熟受到的影響應(yīng)該不大。

臺積電本已有上海松江廠，不過那是8寸半導(dǎo)體工廠，今年剛剛確定將在南京建設(shè)12寸半導(dǎo)體工廠，并且預(yù)計(jì)在2018年量產(chǎn)采用16nmFinFET工藝，這對中芯國際是最大的威脅。

正是因?yàn)槿绱?，中芯國際需要力保它在2018年投產(chǎn)14nmFinFET，以確保工藝技術(shù)不落后于臺積電的南京工廠和領(lǐng)先于聯(lián)電的廈門工廠，為了實(shí)現(xiàn)計(jì)劃中芯國際與高通、華為海思、IMEC都達(dá)成了合作開發(fā)14nmFinFET工藝，早前引入了臺積電前執(zhí)行長蔣尚義，這次再獲得前臺積電FinFET工藝專家梁孟松加盟無疑是如虎添翼。

蔣尚義曾負(fù)責(zé)領(lǐng)導(dǎo)臺積電的28nm、20nm和16nm FinFET等關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)的研發(fā)，梁孟松則是臺積電的技術(shù)研發(fā)的重要干將，參與研發(fā)FinFET工藝長達(dá)10年之久更是該工藝的相關(guān)專利發(fā)明人，據(jù)說三星的14nmFinFET工藝之所以能趕在臺積電前量產(chǎn)就是因?yàn)榱好纤傻膸椭?/p>

FinFET工藝對于20nm以下工藝極其重要，早在2014年臺積電即已研發(fā)出16nm工藝，不過該工藝的能效甚至還不如當(dāng)時量產(chǎn)的20nm導(dǎo)致各方客戶不愿采用，僅獲得了華為海思等兩個客戶，而華為海思也只是采用該工藝生產(chǎn)網(wǎng)通芯片而不是用于生產(chǎn)對能效要求較高的手機(jī)芯片，直到去年三季度臺積電將FinFET工藝引入才讓其16nmFinFET大幅度提升了能效，贏得蘋果、華為海思、聯(lián)發(fā)科等眾多客戶的采用。

由此足可見，兩位猛將在工藝方面擁有的強(qiáng)大研發(fā)實(shí)力，而從臺積電的16nmFinFET工藝研發(fā)遭遇的波折也證明了這一工藝開發(fā)的難度較大，他們的加入無疑可以為中芯國際的14nmFinFET于2018年量產(chǎn)提供更有力的保證。

生成海報(bào)

免責(zé)聲明：此文內(nèi)容為第三方自媒體作者發(fā)布的觀察或評論性文章，所有文字和圖片版權(quán)歸作者所有，且僅代表作者個人觀點(diǎn)，與極客網(wǎng)無關(guān)。文章僅供讀者參考，并請自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。投訴郵箱：editor@fromgeek.com。

免責(zé)聲明：本網(wǎng)站內(nèi)容主要來自原創(chuàng)、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿，凡在本網(wǎng)站出現(xiàn)的信息，均僅供參考。本網(wǎng)站將盡力確保所提供信息的準(zhǔn)確性及可靠性，但不保證有關(guān)資料的準(zhǔn)確性及可靠性，讀者在使用前請進(jìn)一步核實(shí)，并對任何自主決定的行為負(fù)責(zé)。本網(wǎng)站對有關(guān)資料所引致的錯誤、不確或遺漏，概不負(fù)任何法律責(zé)任。任何單位或個人認(rèn)為本網(wǎng)站中的網(wǎng)頁或鏈接內(nèi)容可能涉嫌侵犯其知識產(chǎn)權(quán)或存在不實(shí)內(nèi)容時，應(yīng)及時向本網(wǎng)站提出書面權(quán)利通知或不實(shí)情況說明，并提供身份證明、權(quán)屬證明及詳細(xì)侵權(quán)或不實(shí)情況證明。本網(wǎng)站在收到上述法律文件后，將會依法盡快聯(lián)系相關(guān)文章源頭核實(shí)，溝通刪除相關(guān)內(nèi)容或斷開相關(guān)鏈接。