華人再次突破芯片技術(shù)瓶頸，然而成果歸美芯，中國(guó)芯可能輸了？

外媒報(bào)道指華人研發(fā)團(tuán)隊(duì)已突破芯片的極限，晶體管厚度只有三個(gè)原子那么大，達(dá)到0.3納米，打破了此前芯片業(yè)界認(rèn)為的1納米是硅基芯片技術(shù)極限的概念，然而這項(xiàng)技術(shù)卻是歸美國(guó)所有。

這次取得技術(shù)突破的研發(fā)團(tuán)隊(duì)是麻省理工研究所，然而領(lǐng)導(dǎo)該團(tuán)隊(duì)的卻是華人，而參與研發(fā)的技術(shù)人員也有較大比例是華人，這項(xiàng)技術(shù)不僅解決了硅基芯片的性能提升難題，還大幅降低了功耗，延長(zhǎng)了硅基芯片的壽命。

麻省理工的研究團(tuán)隊(duì)基于二硫化鉬（MoS2）開發(fā)出原子級(jí)的晶體管，由于晶體管足夠小，還避免了擊穿效應(yīng)，可以有效解決晶體管縮小到一定程度而無法控制功耗的問題，據(jù)估計(jì)用這種晶體管技術(shù)開發(fā)出的芯片將只有當(dāng)前芯片功耗的千分之一。

臺(tái)積電等芯片代工企業(yè)就是通過持續(xù)縮小晶體管的方式開發(fā)出先進(jìn)的芯片制造工藝，然而隨著芯片制造工藝發(fā)展到5納米，過小的晶體管導(dǎo)致?lián)舸┬?yīng)越來越嚴(yán)重，臺(tái)積電為了降低3納米工藝的開發(fā)難度延續(xù)了FinFET技術(shù)，但是卻導(dǎo)致芯片性能提升幅度較為有限，而成本提升太快，這是臺(tái)積電去年的3納米工藝不獲蘋果認(rèn)可的原因，無奈之下臺(tái)積電只能繼續(xù)改良3納米，預(yù)計(jì)今年改良后的3納米工藝N3E將獲得蘋果的訂單。

三星則開創(chuàng)性的引入GAA環(huán)繞柵極技術(shù)，它推出的3納米工藝性能表現(xiàn)比臺(tái)積電更好，而功耗也更優(yōu)秀，然而由于三星過于激進(jìn)，導(dǎo)致3納米工藝良率過低，至今三星都沒有公布它的3納米工藝客戶到底是誰(shuí)，這讓人懷疑三星的3納米工藝并未有任何芯片企業(yè)認(rèn)可。

3納米工藝都已面臨如此難題，臺(tái)積電和三星所宣稱的2納米工藝能否如期推進(jìn)就讓人懷疑了，麻省理工研發(fā)的晶體管技術(shù)或?qū)⒃俅未蜷_硅基芯片前進(jìn)方向，從而延續(xù)當(dāng)前硅基芯片技術(shù)壽命。

麻省理工的華人團(tuán)隊(duì)取得了芯片技術(shù)的突破，證明了華人在芯片技術(shù)研發(fā)方面的天賦，據(jù)估計(jì)美國(guó)硅谷從事技術(shù)研發(fā)的華人可能超過數(shù)萬(wàn)人，他們?yōu)槊绹?guó)科技的發(fā)展做出了重要貢獻(xiàn)，凸顯出華人對(duì)美國(guó)科技產(chǎn)業(yè)的重要性。

其實(shí)這已不是華人為芯片技術(shù)的發(fā)展做出重要貢獻(xiàn)，在干式光刻機(jī)向浸潤(rùn)式光刻機(jī)轉(zhuǎn)變的時(shí)候，就是臺(tái)積電的技術(shù)負(fù)責(zé)人林本堅(jiān)研發(fā)出來的，然后將該項(xiàng)技術(shù)交給了ASML，由此ASML從一家茍延殘喘的光刻機(jī)企業(yè)一躍而成為全球最大的光刻機(jī)企業(yè)，而曾經(jīng)霸占全球光刻機(jī)市場(chǎng)近八成市場(chǎng)份額的日本光刻機(jī)迅速衰敗。

引領(lǐng)全球芯片制造工藝從20納米到5納米發(fā)展的FinFET技術(shù)由華人胡正明教授發(fā)明，隨后推進(jìn)該項(xiàng)技術(shù)發(fā)展的則是胡正明教授的幾個(gè)徒弟如梁孟松等人，他們幫助臺(tái)積電推進(jìn)先進(jìn)工藝的研發(fā)，最終擊敗了美國(guó)芯片龍頭Intel，奠定了芯片制造領(lǐng)導(dǎo)者的地位。

這些芯片技術(shù)逐漸達(dá)到瓶頸的時(shí)候，如今為芯片技術(shù)打開局面的麻省理工研發(fā)團(tuán)隊(duì)又是華人引領(lǐng)，這都說明了華人在科技領(lǐng)域的天賦，可惜的是這次的技術(shù)成果歸美國(guó)所有，這將幫助美國(guó)再次獲得芯片技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者地位。

美國(guó)再次在芯片技術(shù)方面突破，對(duì)于中國(guó)芯片行業(yè)來說無疑是相當(dāng)大的打擊，這意味著中國(guó)芯片在芯片技術(shù)研發(fā)方面與美國(guó)的差距又一次拉大了，外媒因此認(rèn)為中國(guó)芯片在技術(shù)較量中又一次失敗了，然而這個(gè)說法可能言之尚早。

中國(guó)芯片在硅基芯片方面固然仍然在追趕美國(guó)，但是中國(guó)芯片行業(yè)卻努力在新芯片技術(shù)方面彎道超車，中國(guó)已籌建全球第一條光子芯片和量子芯片生產(chǎn)線，如果光子芯片、量子芯片實(shí)現(xiàn)商用，那么現(xiàn)有的硅基芯片技術(shù)將被徹底顛覆，這意味著中國(guó)芯片仍然有機(jī)會(huì)實(shí)現(xiàn)趕超，只是需要加快這些新芯片技術(shù)的商用進(jìn)程了。

生成海報(bào)

免責(zé)聲明：此文內(nèi)容為第三方自媒體作者發(fā)布的觀察或評(píng)論性文章，所有文字和圖片版權(quán)歸作者所有，且僅代表作者個(gè)人觀點(diǎn)，與極客網(wǎng)無關(guān)。文章僅供讀者參考，并請(qǐng)自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。投訴郵箱：editor@fromgeek.com。

免責(zé)聲明：本網(wǎng)站內(nèi)容主要來自原創(chuàng)、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿，凡在本網(wǎng)站出現(xiàn)的信息，均僅供參考。本網(wǎng)站將盡力確保所提供信息的準(zhǔn)確性及可靠性，但不保證有關(guān)資料的準(zhǔn)確性及可靠性，讀者在使用前請(qǐng)進(jìn)一步核實(shí)，并對(duì)任何自主決定的行為負(fù)責(zé)。本網(wǎng)站對(duì)有關(guān)資料所引致的錯(cuò)誤、不確或遺漏，概不負(fù)任何法律責(zé)任。任何單位或個(gè)人認(rèn)為本網(wǎng)站中的網(wǎng)頁(yè)或鏈接內(nèi)容可能涉嫌侵犯其知識(shí)產(chǎn)權(quán)或存在不實(shí)內(nèi)容時(shí)，應(yīng)及時(shí)向本網(wǎng)站提出書面權(quán)利通知或不實(shí)情況說明，并提供身份證明、權(quán)屬證明及詳細(xì)侵權(quán)或不實(shí)情況證明。本網(wǎng)站在收到上述法律文件后，將會(huì)依法盡快聯(lián)系相關(guān)文章源頭核實(shí)，溝通刪除相關(guān)內(nèi)容或斷開相關(guān)鏈接。