臺(tái)積電2000億開(kāi)發(fā)的3納米讓人失望，高通或放棄，聯(lián)發(fā)科跟進(jìn)

臺(tái)積電對(duì)3納米工藝寄予厚望，甚至還非常罕有地為3納米工藝量產(chǎn)組織了發(fā)布儀式，凸顯出它對(duì)3納米工藝的高度重視，然而隨著iPhone15的上市，3納米工藝的實(shí)際表現(xiàn)卻相當(dāng)尷尬，這已導(dǎo)致芯片企業(yè)對(duì)它的態(tài)度出現(xiàn)分化。

一、蘋果披露了臺(tái)積電3納米工藝的真實(shí)

臺(tái)積電官方宣傳表示3納米工藝比5納米相同功耗下性能提升10-15%，或在相同性能下降低功耗25%-30%，看起來(lái)3納米工藝似乎有相當(dāng)不錯(cuò)的表現(xiàn)，3納米工藝的首家客戶為蘋果。

日前蘋果發(fā)布的iPhone15給出了3納米工藝的答案，iPhone15Pro系列搭載的A17處理器采用了臺(tái)積電的3納米工藝，A17處理器的性能僅是提升了10%，與預(yù)期的提升30%相去甚遠(yuǎn)，這就讓人質(zhì)疑臺(tái)積電的3納米工藝其實(shí)并未有預(yù)期的那么強(qiáng)。

當(dāng)然這也可能與蘋果在芯片設(shè)計(jì)技術(shù)方面的退化有關(guān)，在A13處理器之前每一代的性能提升幅度達(dá)到兩成到三成，A14的提升幅度跌穿兩成，A15、A16、A17連續(xù)三代的性能提升幅度都未超過(guò)10%，顯示出蘋果在芯片技術(shù)方面確實(shí)在下滑。

二、臺(tái)積電的保守導(dǎo)致3納米太差

3納米工藝的性能提升有限，在于它仍然采用FINFET工藝，業(yè)界認(rèn)為FINFET工藝其實(shí)已不適應(yīng)3納米，F(xiàn)INFET工藝只能滿足4納米及以上工藝，臺(tái)積電強(qiáng)行將FINFET工藝用于3納米，導(dǎo)致了3納米工藝的性能表現(xiàn)讓人失望。

臺(tái)積電強(qiáng)行將FINFET工藝用于3納米，在于確保3納米工藝研發(fā)的進(jìn)展順利，目前全球僅有三星和臺(tái)積電量產(chǎn)了3納米工藝，三星激進(jìn)地采用了更適合3納米的GAA工藝卻導(dǎo)致良率低至兩成，臺(tái)積電保守策略下的3納米工藝良率也低至55%，與以往的工藝良率達(dá)到九成差得太遠(yuǎn)。

臺(tái)積電的3納米工藝雖然技術(shù)不足，但是芯片企業(yè)還更認(rèn)可了臺(tái)積電，畢竟芯片制造成本影響太大，目前全球有意采用3納米工藝的聯(lián)發(fā)科、NVIDIA等都有意采用臺(tái)積電的3納米而不是三星的3納米，就證明了成本比技術(shù)性能更重要。

從商業(yè)意義上來(lái)說(shuō)，臺(tái)積電的保守策略顯然是成功的，當(dāng)年的7納米工藝開(kāi)發(fā)也是如此，臺(tái)積電保守地以DUV光刻機(jī)生產(chǎn)7納米因此良率更高，三星激進(jìn)地采用EUV光刻機(jī)生產(chǎn)7納米導(dǎo)致良率太低，多數(shù)芯片企業(yè)還是選擇了技術(shù)稍微落后的臺(tái)積電7納米。

三、芯片企業(yè)對(duì)臺(tái)積電的3納米出現(xiàn)分化

臺(tái)積電的3納米工藝良率太低，導(dǎo)致成本太高，蘋果已迫使臺(tái)積電修改了收費(fèi)規(guī)則，從按標(biāo)準(zhǔn)晶圓收費(fèi)改為按可用晶圓收費(fèi)，損壞的45%晶圓成本由臺(tái)積電承擔(dān)，然而其他芯片企業(yè)能否有此待遇就值得商榷了。

蘋果能迫使臺(tái)積電修改收費(fèi)規(guī)則，在于蘋果是臺(tái)積電的第一大客戶，為臺(tái)積電貢獻(xiàn)了26%的收入，其他芯片企業(yè)給臺(tái)積電貢獻(xiàn)的收入比例都低于一成，這就讓蘋果得到了優(yōu)待，其他芯片企業(yè)恐怕沒(méi)有這樣的議價(jià)權(quán)。

在資金實(shí)力方面，其他芯片企業(yè)同樣沒(méi)有蘋果的財(cái)大氣粗，高通的業(yè)績(jī)已出現(xiàn)了下滑，由于它與聯(lián)發(fā)科之間的激烈競(jìng)爭(zhēng)，以及失去中國(guó)大陸一家手機(jī)企業(yè)的訂單，業(yè)界傳聞指高通計(jì)劃在今年4季度展開(kāi)價(jià)格戰(zhàn)，由此為了控制成本高通計(jì)劃繼續(xù)采用臺(tái)積電的4納米工藝，而聯(lián)發(fā)科作為進(jìn)攻者則愿意承受更高的成本計(jì)劃采用先進(jìn)的3納米工藝。

臺(tái)積電的3納米工藝表現(xiàn)讓人失望導(dǎo)致的結(jié)果恐怕是3納米工藝將難以迅速獲得芯片企業(yè)的認(rèn)可，將需要更多時(shí)間才能達(dá)到5納米的成功，或許臺(tái)積電引入GAA工藝后的3納米才能吸引更多芯片企業(yè)。

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