美國芯片再遭重?fù)簦?.8納米芯片10顆壞9顆，夢(mèng)想破滅！

美國力求在芯片制造方面重奪全球牛耳，為此美國給錢給資源扶持美國本土芯片龍頭Intel，不過日前外媒傳出對(duì)美國芯片行業(yè)不利的消息，指Intel的1.8納米工藝生產(chǎn)遭遇難題，良率低至一成，生產(chǎn)的芯片10顆壞9顆。

導(dǎo)致Intel的1.8納米出現(xiàn)如此重大問題，可能在于Intel同時(shí)采用了多項(xiàng)技術(shù)所致，Intel為全球首家采用2納米EUV光刻機(jī)生產(chǎn)芯片的廠商，而在1.8納米工藝上又采用了全新的Nanosheet技術(shù)，多項(xiàng)技術(shù)同時(shí)采用導(dǎo)致Intel的芯片良率超低。

對(duì)于2納米EUV光刻機(jī)，美國是刻意扶持Intel了，在美國的壓力下，光刻機(jī)巨頭ASML將今年量產(chǎn)的10臺(tái)2納米EUV光刻機(jī)中的6臺(tái)給了Intel，可以看出美國對(duì)Intel的偏袒。

這對(duì)于Intel來說固然是利好，不過對(duì)于臺(tái)積電來說卻未必是壞事，當(dāng)年研發(fā)7納米的時(shí)候，由于技術(shù)難度太大，臺(tái)積電就沒有在7納米工藝上采用第一代EUV光刻機(jī)，而是用原來的DUV光刻機(jī)開發(fā)出第一代7納米，結(jié)果是率先引入第一代EUV光刻機(jī)的三星量產(chǎn)7納米落后了。

2納米EUV光刻機(jī)的技術(shù)難度就更大了，Intel率先引入將可能面臨著許多技術(shù)難題，臺(tái)積電讓Intel率先嘗試，而自己留下時(shí)間來吃透2納米EUV光刻機(jī)，然后再導(dǎo)入生產(chǎn)線，反而可能再次實(shí)現(xiàn)后來者居上。

至于在先進(jìn)工藝上引入全新的技術(shù)，臺(tái)積電和三星同樣較量過。在3納米工藝上，臺(tái)積電仍然采取了保守的策略，繼續(xù)用FinFET技術(shù)，而三星為了在3納米工藝上徹底超越臺(tái)積電，再次率先采用全新的GAA技術(shù)，結(jié)果臺(tái)積電的3納米工藝良率達(dá)到55%，而三星的3納米如今也只有20%左右。

原因就在于先進(jìn)工藝面臨的變數(shù)太多，同時(shí)引入多項(xiàng)技術(shù)和新設(shè)備，可能導(dǎo)致芯片制造企業(yè)面臨太多技術(shù)困難，最終是哪個(gè)都沒搞好，將生產(chǎn)技術(shù)變成夾生飯，從第一代EUV光刻機(jī)和GAA技術(shù)的引入都可以看出三星得到教訓(xùn)。

相比起臺(tái)積電和三星，Intel從2014年量產(chǎn)14納米工藝之后，在技術(shù)研發(fā)進(jìn)展方面就一直落后，可以說芯片制造技術(shù)方面甚至還不如三星，如此情況下Intel如此激進(jìn)地同時(shí)采用全新的2納米EUV光刻機(jī)以及Nanosheet技術(shù)，非?？赡軐?dǎo)致1.8納米良率低至如此地步。

如今的Intel也正處于風(fēng)雨飄搖之中，近幾年來不時(shí)出現(xiàn)虧損，今年以來更是連續(xù)三個(gè)季度虧損，連連的虧損以及市場(chǎng)被AMD搶走，導(dǎo)致CEO基辛格已在近期被董事會(huì)迫使退休，人心動(dòng)蕩之下，Intel的開發(fā)技術(shù)難度極高的1.8納米更有可能出現(xiàn)問題。

Intel開發(fā)1.8納米出現(xiàn)問題，不僅僅是Intel自身的損失，更是整個(gè)美國芯片行業(yè)的損失，代表著美國芯片試圖掌控芯片牛耳的圖謀失敗了，美國傾力扶持Intel，結(jié)果得到的是如此結(jié)果，未來美國芯片行業(yè)將更加依賴臺(tái)積電。

美國芯片遭受挫折，臺(tái)積電可不會(huì)坐視機(jī)會(huì)，據(jù)悉臺(tái)積電已提出要求提高芯片代工價(jià)格一成，面對(duì)美國遭受的挫折，美國芯片普遍無奈接受，臺(tái)積電也日益成為芯片行業(yè)的贏家，凈利潤(rùn)率已超過四成，這樣的利潤(rùn)率水平比美國許多強(qiáng)大的科技企業(yè)都要高得多。

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