美國芯片再遭重擊,1.8納米芯片10顆壞9顆,夢想破滅!

美國力求在芯片制造方面重奪全球牛耳,為此美國給錢給資源扶持美國本土芯片龍頭Intel,不過日前外媒傳出對美國芯片行業(yè)不利的消息,指Intel的1.8納米工藝生產(chǎn)遭遇難題,良率低至一成,生產(chǎn)的芯片10顆壞9顆。

導(dǎo)致Intel的1.8納米出現(xiàn)如此重大問題,可能在于Intel同時采用了多項技術(shù)所致,Intel為全球首家采用2納米EUV光刻機生產(chǎn)芯片的廠商,而在1.8納米工藝上又采用了全新的Nanosheet技術(shù),多項技術(shù)同時采用導(dǎo)致Intel的芯片良率超低。

對于2納米EUV光刻機,美國是刻意扶持Intel了,在美國的壓力下,光刻機巨頭ASML將今年量產(chǎn)的10臺2納米EUV光刻機中的6臺給了Intel,可以看出美國對Intel的偏袒。

這對于Intel來說固然是利好,不過對于臺積電來說卻未必是壞事,當年研發(fā)7納米的時候,由于技術(shù)難度太大,臺積電就沒有在7納米工藝上采用第一代EUV光刻機,而是用原來的DUV光刻機開發(fā)出第一代7納米,結(jié)果是率先引入第一代EUV光刻機的三星量產(chǎn)7納米落后了。

2納米EUV光刻機的技術(shù)難度就更大了,Intel率先引入將可能面臨著許多技術(shù)難題,臺積電讓Intel率先嘗試,而自己留下時間來吃透2納米EUV光刻機,然后再導(dǎo)入生產(chǎn)線,反而可能再次實現(xiàn)后來者居上。

至于在先進工藝上引入全新的技術(shù),臺積電和三星同樣較量過。在3納米工藝上,臺積電仍然采取了保守的策略,繼續(xù)用FinFET技術(shù),而三星為了在3納米工藝上徹底超越臺積電,再次率先采用全新的GAA技術(shù),結(jié)果臺積電的3納米工藝良率達到55%,而三星的3納米如今也只有20%左右。

原因就在于先進工藝面臨的變數(shù)太多,同時引入多項技術(shù)和新設(shè)備,可能導(dǎo)致芯片制造企業(yè)面臨太多技術(shù)困難,最終是哪個都沒搞好,將生產(chǎn)技術(shù)變成夾生飯,從第一代EUV光刻機和GAA技術(shù)的引入都可以看出三星得到教訓(xùn)。

相比起臺積電和三星,Intel從2014年量產(chǎn)14納米工藝之后,在技術(shù)研發(fā)進展方面就一直落后,可以說芯片制造技術(shù)方面甚至還不如三星,如此情況下Intel如此激進地同時采用全新的2納米EUV光刻機以及Nanosheet技術(shù),非??赡軐?dǎo)致1.8納米良率低至如此地步。

如今的Intel也正處于風雨飄搖之中,近幾年來不時出現(xiàn)虧損,今年以來更是連續(xù)三個季度虧損,連連的虧損以及市場被AMD搶走,導(dǎo)致CEO基辛格已在近期被董事會迫使退休,人心動蕩之下,Intel的開發(fā)技術(shù)難度極高的1.8納米更有可能出現(xiàn)問題。

Intel開發(fā)1.8納米出現(xiàn)問題,不僅僅是Intel自身的損失,更是整個美國芯片行業(yè)的損失,代表著美國芯片試圖掌控芯片牛耳的圖謀失敗了,美國傾力扶持Intel,結(jié)果得到的是如此結(jié)果,未來美國芯片行業(yè)將更加依賴臺積電。

美國芯片遭受挫折,臺積電可不會坐視機會,據(jù)悉臺積電已提出要求提高芯片代工價格一成,面對美國遭受的挫折,美國芯片普遍無奈接受,臺積電也日益成為芯片行業(yè)的贏家,凈利潤率已超過四成,這樣的利潤率水平比美國許多強大的科技企業(yè)都要高得多。

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2024-12-11
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