中國新能源汽車電驅動領域高科技公司臻驅科技(上海)有限公司(以下簡稱“臻驅科技”)與全球知名半導體廠商ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)宣布在中國(上海)自由貿易區(qū)試驗區(qū)臨港新片區(qū)成立“碳化硅技術聯(lián)合實驗室”,并于2020年6月9日舉行了揭牌儀式。
與IGBT*1等硅(Si)功率元器件相比,碳化硅(SiC)功率元器件具有傳導損耗、開關損耗*2小、耐溫度變化等優(yōu)勢,作為能夠顯著降低損耗的半導體,在電動汽車車載充電器以及DC/DC轉換器等方面的應用日益廣泛。
自2017年合作以來,臻驅科技和羅姆就采用SiC功率元器件的車載應用開發(fā),展開了深入的技術交流。此次聯(lián)合實驗室的成立,旨在利用羅姆的SiC MOSFET*3裸芯片和隔離型柵極驅動器,進行車載功率模塊和逆變器的開發(fā)。今后,雙方將進一步加速開發(fā)以SiC為中心的創(chuàng)新型電源解決方案。
臻驅科技董事長兼總經(jīng)理 沈捷博士(右)與羅姆半導體(上海)有限公司董事兼總經(jīng)理 久保田進矢(左)在揭牌儀式上握手
臻驅科技董事長兼總經(jīng)理 沈捷博士表示,“碳化硅功率半導體模塊在新能源汽車上的應用是接下來幾年行業(yè)的大勢所趨,加緊匯集全球資源、加快產業(yè)化研發(fā)、加速成熟碳化硅產品商業(yè)化落地將有效保證零部件廠商核心競爭力。臻驅科技自成立以來便得到羅姆的大力支持,臻驅愿借此次聯(lián)合實驗室東風,深化雙方合作關系,協(xié)同共進。”
羅姆執(zhí)行董事 功率元器件事業(yè)本部長 伊野和英博士表示,“羅姆作為碳化硅元器件的領先廠商,提供領先業(yè)界的元器件技術和驅動IC等產品相結合的電源解決方案,且擁有傲人業(yè)績,并針對xEV推動SiC的普及。在SiC功率元器件的技術開發(fā)方面,把握客戶需求和市場動向是非常重要的要素。臻驅科技作為車載功率模塊和逆變器廠商,在SiC應用研究方面發(fā)揮著重要的作用。羅姆希望通過成立聯(lián)合實驗室,加強雙方的合作關系,憑借以SiC為核心的電源解決方案為汽車技術革新做出貢獻。”
關于臻驅科技
臻驅科技成立于2017年,是一家致力于提供國產功率半導體及新能源汽車動力解決方案的高科技公司。憑借領先的正向設計和工程應用能力,臻驅開發(fā)并集成應用高性能、低成本的動力總成與功率模塊產品。臻驅科技在下一代寬禁帶材料碳化硅上有深厚的技術積淀,積累了十年以上的碳化硅模塊和系統(tǒng)的開發(fā)和使用經(jīng)驗。團隊擁有百余項國際專利,代表了在新能源、電能轉換及電力電子三大領域的國際先進水準。
關于羅姆
羅姆是成立于1958年的半導體和電子元件制造商。通過遍及全球的開發(fā)與銷售網(wǎng)絡,為汽車和工業(yè)設備市場以及消費電子、通信等眾多市場提供高品質和高可靠性的IC、分立半導體和電子元器件產品。在羅姆擅長的模擬電源領域,羅姆的優(yōu)勢是提供包括SiC功率元器件及充分發(fā)揮其性能的驅動IC、以及晶體管、二極管、電阻器等外圍元器件在內的系統(tǒng)整體的優(yōu)化解決方案。如欲進一步了解詳情,請訪問羅姆的官網(wǎng):https://www.rohm.com.cn
<術語解說>
*1) IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極晶體管)
同時具有MOSFET的高速開關特性和雙極晶體管的低傳導損耗特性的功率晶體管。
*2) 傳導損耗、開關損耗
因元器件結構的緣故,MOSFET和IGBT等晶體管在使用時會產生損耗。傳導損耗是電流流過元器件時(ON狀態(tài)時),受元器件的電阻分量影響而產生的損耗。開關損耗是切換元器件的通電狀態(tài)時(開關動作時)產生的損耗。
*3) MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的縮寫)
金屬-氧化物-半導體場效應晶體管,是FET中最常用的結構。用作開關元件。
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