為邏輯芯片和存儲芯片等應用提供高性價比的刻蝕解決方案
中微半導體設備(上海)股份有限公司(以下簡稱“中微公司”，上交所股票代碼：688012)在SEMICON China 2021期間正式發(fā)布了新一代電感耦合等離子體(ICP)刻蝕設備Primo Twin-Star®，用于IC器件前道和后道制程導電/電介質(zhì)膜的刻蝕應用。
中微公司雙反應臺電感耦合等離子體刻蝕設備Primo Twin-Star®
基于中微公司業(yè)已成熟的單臺反應器的電感耦合等離子體(ICP)刻蝕技術和雙臺反應器的Primo平臺，Primo Twin-Star®為電介質(zhì)前道/后道制程、多晶硅刻蝕、DTI和BSI刻蝕等提供了高性價比的刻蝕解決方案。它的創(chuàng)新設計包括：Primo Twin-Star®使用了雙反應臺腔體設計和低電容耦合3D線圈設計，創(chuàng)新的反應腔設計可最大程度減弱非中心對稱抽氣口效應，通過采用多區(qū)溫控靜電吸盤(ESC)增強了對關鍵尺寸均勻性和重復性的控制。
憑借這些優(yōu)異的性能和其他特性，與其他同類設備相比，Primo Twin-Star®以更小的占地面積、更低的生產(chǎn)成本和更高的輸出效率，進行ICP適用的邏輯和存儲芯片的介質(zhì)和導體的各種刻蝕應用，并用于功率器件和CMOS圖像傳感器(CIS)的刻蝕應用。由于Primo Twin-Star®反應器在很多方面采取了和單臺機Primo nanova®相同或相似的設計，在眾多的刻蝕應用中，Primo Twin-Star®顯示了和單臺反應器相同的刻蝕結(jié)果。這就給客戶提供了高質(zhì)量、高輸出和低成本的解決方案。
中微公司的Primo Twin-Star®刻蝕設備已收到來自國內(nèi)領先客戶的訂單。目前，首臺Primo Twin-Star®設備已交付客戶投入生產(chǎn)，良率穩(wěn)定。公司還在進行用于不同刻蝕應用的多項評估。Primo Twin-Star®設備優(yōu)化了中微公司電感耦合等離子體(ICP)刻蝕設備產(chǎn)品線。
“現(xiàn)在的制造商對于生產(chǎn)成本日益敏感，我們的目標是為客戶提供技術創(chuàng)新、高生產(chǎn)率和高性價比的ICP刻蝕解決方案。”中微公司集團副總裁兼等離子體刻蝕產(chǎn)品事業(yè)總部總經(jīng)理倪圖強博士說道，“Primo Twin-Star®設備已在各類前道/后道制程、用于功率器件和CIS應用的深溝槽隔離刻蝕(DTI)中表現(xiàn)出卓越的性能。通過提供兼具這些優(yōu)異性能和高性價比的解決方案，我們不僅幫助客戶解決了技術難題，同時最大程度地提升了其投資效益。”
Primo Twin-Star®是中微公司的注冊商標。
關于中微半導體設備（上海）股份有限公司
中微半導體設備(上海)股份有限公司(證券簡稱：中微公司，證券代碼：688012)致力于為全球集成電路和LED芯片制造商提供領先的加工設備和工藝技術解決方案。中微公司開發(fā)的等離子體刻蝕設備和化學薄膜設備是制造各種微觀器件的關鍵設備，可加工微米級和納米級的各種器件。這些微觀器件是現(xiàn)代數(shù)碼產(chǎn)業(yè)的基礎，它們正在改變?nèi)祟惖纳a(chǎn)方式和生活方式。中微公司的等離子體刻蝕設備已被廣泛應用于國際一線客戶從65納米到5納米工藝的眾多刻蝕應用，中微公司開發(fā)的用于LED和功率器件外延片生產(chǎn)的MOCVD設備已在客戶生產(chǎn)線上投入量產(chǎn)，目前已在全球氮化鎵基LED MOCVD設備市場占據(jù)領先地位。
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