基于獨家專利技術(shù) SmartSiC™ 打造，助力提升電力電子設(shè)備的性能與電動汽車的能效
中國北京，2022 年 5 月 6日 ——設(shè)計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè)Soitec 近日發(fā)布了其首款 200mm 碳化硅 SmartSiC™ 晶圓。這標志著 Soitec 公司的碳化硅產(chǎn)品組合已拓展至 150mm 以上，其 SmartSiC™ 晶圓的研發(fā)水準再創(chuàng)新高，可滿足汽車市場不斷增長的需求。
首批 200mm SmartSiC™ 襯底誕生于 Soitec 與 CEA-Leti 合作的襯底創(chuàng)新中心的先進試驗線，該中心位于格勒諾布爾。該批 200mm SmartSiC 襯底將會在關(guān)鍵客戶中進行首輪驗證，展示其質(zhì)量及性能。
Soitec 于 2022 年 3 月在法國貝寧啟動了新晶圓廠貝寧 4 號 (Bernin 4) 的建設(shè)，用于生產(chǎn) 150mm 和 200mm 的 SmartSiC™ 晶圓，貝寧 4 號預計將于 2023 年下半年投入運營。
Soitec 獨特的 SmartSiC™ 技術(shù)能夠?qū)O薄的高質(zhì)量碳化硅層鍵合到電阻率極低的多晶碳化硅晶圓上，從而顯著提高電力電子設(shè)備的性能與電動汽車的能源效率。
Soitec 首席技術(shù)官 Christophe Maleville 表示：“Soitec 的 SmartSiC™ 襯底將在新能源電動汽車中起到關(guān)鍵性作用。憑借獨特的先進技術(shù)，我們致力于研發(fā)尖端的優(yōu)化襯底，助力汽車和工業(yè)市場的電力電子設(shè)備開辟新前景。本次在碳化硅襯底系列中增加 200mm SmartSiC™ 晶圓，進一步加強了我們產(chǎn)品組合的差異化，并在產(chǎn)品質(zhì)量、可靠性、體積和能效等多方面滿足客戶多樣化的需求。200mm SmartSiC™ 晶圓是我們 SmartSiC™ 技術(shù)開發(fā)和部署的一座重要里程碑，它鞏固了 Soitec 在行業(yè)內(nèi)的技術(shù)領(lǐng)先地位，并強化了我們不斷創(chuàng)新、推出新一代晶圓技術(shù)的能力。”
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關(guān)于Soitec
法國 Soitec 半導體公司是設(shè)計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導體材料的全球領(lǐng)先企業(yè)，以其獨特的技術(shù)和半導體領(lǐng)域的專長服務于電子和能源市場。Soitec在全球擁有約 3,500 項專利，在不斷創(chuàng)新的基礎(chǔ)上滿足客戶對高性能、低能耗以及低成本的需求。Soitec 在歐洲、美國和亞洲設(shè)有制造工廠、研發(fā)中心和辦事處。Soitec 全力致力于可持續(xù)發(fā)展，于 2021 年將可持續(xù)發(fā)展納入企業(yè)宗旨：“我們提供科技創(chuàng)新的土壤，賦能電子設(shè)備的智能和節(jié)能，締造可持續(xù)的美好生活。 ”
Soitec 和 Smart Cut是 Soitec 的注冊商標。
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