1984年，東芝舛岡富士雄首先提出了閃存概念。1987年，東芝發(fā)明了NAND閃存，到了2019年，原東芝存儲器改名為鎧俠，鎧俠閃存市場份額已持續(xù)多年占據(jù)全球第二。相比內(nèi)存，閃存優(yōu)勢在于非易失性，斷電數(shù)據(jù)不會丟失，可以保存長久，可謂是改變了整個存儲行業(yè)。
今年，是鎧俠發(fā)明閃存的35周年，值此之際，熱點(diǎn)科技有幸專訪鎧俠電子(中國)有限公司董事長兼總經(jīng)理岡本成之先生，針對閃存的發(fā)展、更名為鎧俠的變化以及第六代BiCS NAND閃存產(chǎn)品何時上市、未來QLC的發(fā)展等方面進(jìn)行了提問。
鎧俠電子(中國)有限公司董事長兼總經(jīng)理岡本成之
僅10年便普及閃存 源自不懈研發(fā)的成果
在1984年，東芝超大規(guī)模集成電路(ULSI)研究所工程師舛岡富士雄(Fujio Masuoka)在IEDM會議上提出閃存概念，結(jié)果僅用了10多年時間，閃存就以CF、MMC、PCMCIA各種形式實(shí)現(xiàn)大規(guī)模普及，岡本成之先生表示：“閃存之所以取得如此快速的發(fā)展，源自于發(fā)明閃存后的10年間，鎧俠堅(jiān)持不懈地研發(fā)技術(shù)的成果，通過推進(jìn)大容量化，減少每比特的成本，從而不斷擴(kuò)大了數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)、PC、數(shù)據(jù)中心等市場。”
同時岡本成之先生還透露出，“在這段發(fā)展過程中，鎧俠先后開發(fā)了可實(shí)現(xiàn)大容量化的技術(shù)，即細(xì)微化技術(shù)、多值化技術(shù)、3次元化技術(shù)。作為閃存專業(yè)廠商，鎧俠也繼續(xù)深入推進(jìn)技術(shù)的研發(fā)，在2次元NAND的大容量化即將迎來物理性界限時，開發(fā)了具有巨大技術(shù)性挑戰(zhàn)的3次元閃存。”
全新品牌給人振奮感 同時豐富SSD產(chǎn)品線
在我們提到，2019年10月，原東芝存儲器正式更名為鎧俠發(fā)生了哪些變化時，岡本成之先生回答到：“鎧俠除了品牌名變更以外，品牌顏色也煥然一新，包括淡藍(lán)、玫紅、黃色、淺灰、淺綠、橙色等鮮亮顏色，應(yīng)用于產(chǎn)品包裝以及標(biāo)簽設(shè)計(jì)上，給人一種振奮的感覺。”鎧俠旗下?lián)碛蠸SD，PSSD，存儲卡，U盤等豐富的消費(fèi)級產(chǎn)品線，覆蓋電腦、影像以及移動存儲等使用場景。
岡本成之先生還談到，“2020年鎧俠開始銷售SSD產(chǎn)品，于2021年增加了移動固態(tài)硬盤產(chǎn)品，進(jìn)一步豐富SSD產(chǎn)品線。而為了提高鎧俠品牌知名度，鎧俠也開展了各種市場推廣活動，其中包括參加行業(yè)以及ChinaJoy等展會，并在媒體平臺建立官方賬號，邀請眾多達(dá)人體驗(yàn)產(chǎn)品等。”
而在企業(yè)級存儲產(chǎn)品方面，從去年開始，PCIe 5.0已經(jīng)成為業(yè)界焦點(diǎn)，甚至消費(fèi)級主板芯片組Z690提供了PCIe 5.0總線，在此背景下，鎧俠反應(yīng)非常迅速推出了業(yè)界首個PCIe 5.0技術(shù)的EDSFF固態(tài)硬盤，因此鎧俠如何布局企業(yè)級市場是一個非常讓人感興趣的問題。
岡本成之先生表示：“為了應(yīng)對終端客戶對企業(yè)級及數(shù)據(jù)中心級產(chǎn)品在規(guī)格上的新需求，鎧俠也在不斷強(qiáng)化自身SSD產(chǎn)品線規(guī)劃，在2021年發(fā)表的【鎧俠CD7 E3.S系列】提及的產(chǎn)品，即采用了PCIe5.0接口，同時利用閃存優(yōu)勢實(shí)現(xiàn)超出HDD的高密度的EDSFF尺寸外形，對于構(gòu)建高性能、高密度、高運(yùn)用效率的系統(tǒng)有很大幫助。”
鎧俠CD7 E3.S系列的推出，擺脫了服務(wù)器上傳統(tǒng)的2.5英寸SSD外形，提升性能的同時為企業(yè)服務(wù)器等數(shù)據(jù)存儲提供了新的外形選擇，率先做好了向新標(biāo)準(zhǔn)的過渡，能夠應(yīng)對未來的數(shù)據(jù)中心架構(gòu)。
明年BiCS6電子產(chǎn)品上市 力爭產(chǎn)品性能最佳化
我們知道，NAND芯片層數(shù)越多，存儲密度就更跟，不久前鎧俠與西部數(shù)據(jù)聯(lián)合研發(fā)的第六代BiCS NAND閃存，曾數(shù)達(dá)到了162層，那消費(fèi)者最快什么時候買到第六代BiCS NAND閃存的產(chǎn)品?岡本成之先生也給出了回答，“計(jì)劃生成BiCS6的四日市工廠第7棟廠房1期已經(jīng)于4月竣工，目前已開始搬入制造設(shè)備，建造生產(chǎn)流水線，基于BiCS6的電子產(chǎn)品將于2023年上市。”
在競爭對手172層甚至192層的閃存，如何看待競品，以及面對這些競品，鎧俠第六代BiCS NAND閃存競爭力如何的問題上，岡本成之先生表示：“層數(shù)越多，閃存密度就會越高，而這也讓制造會變得非常困難。為了提高密度，除了增加層數(shù)的沉積技術(shù)以外，鎧俠還將平面方向的高密度化、超多值化(QLC、PLC)、CUA(Circuit under array)技術(shù)等新結(jié)構(gòu)技術(shù)組合起來，提高密度，降低制造成本。與競品同代產(chǎn)品相比，鎧俠的第六代BiCS NAND閃存技術(shù)層數(shù)雖少，但通過各種技術(shù)組合，力爭達(dá)到產(chǎn)品性能最佳化，因而鎧俠產(chǎn)品同樣也非常有競爭力。”
未來QLC市場將慢慢擴(kuò)大 但TLC市場不會消失
在進(jìn)入SSD時代后，伴隨著MLC取代SLC、TLC取代MLC，將來QLC是否會取代TCL占據(jù)市場主流?岡本成之先生表達(dá)了自己的看法：“我們認(rèn)為必須采用QLC的大容量產(chǎn)品市場會不斷擴(kuò)大，搭載QLC的SSD也將進(jìn)一步加速取代大容量HDD。但是由于使用閃存的設(shè)備多樣性能，部分存儲器的容量以及性能，依然需要采用TLC產(chǎn)品，性能也會更佳。因此，QLC市場會是慢慢的擴(kuò)大。”
作為閃存的締造者，鎧俠憑借技術(shù)優(yōu)勢以及多年的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)持續(xù)深耕，為行業(yè)、消費(fèi)者帶來了一系列存儲器解決方案，在包括智能手機(jī)、平板電腦和筆記本、汽車信息娛樂系統(tǒng)、游戲、可穿戴設(shè)備、數(shù)據(jù)中心、音樂等領(lǐng)域均得到了廣泛的應(yīng)用，與我們生活息息相關(guān)，改變了我們的生活，改變了這個世界。
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