今年9月,英睿達(dá)推出了P3和P3 Plus兩款SSD,分別支持PCIe3.0和PCIe 4.0接口。本次PCEVA評測的是在PCIe3.0接口下滿速的英睿達(dá)P3 2TB。
相比上代P2,英睿達(dá)P3的設(shè)計(jì)風(fēng)格更加接近高端P5系列。黑色簡約的正面標(biāo)簽上是商標(biāo)、型號和接口信息。容量、序列號、固件版本等內(nèi)容則放到了背面標(biāo)簽中。
當(dāng)前很多筆記本電腦的M.2插槽由于空間限制而無法安裝雙面PCBSSD。單面PCB設(shè)計(jì)有利于提供更加廣泛的兼容性。
英睿達(dá)P3使用了跟P3 Plus相同的群聯(lián)PS5021-E21T主控,沒有因?yàn)镻CIe接口規(guī)格降低而選擇更老的主控。主控位于PCB中間位置,兩側(cè)各有兩顆美光176層3DQLC閃存顆粒。由于閃存單die容量高達(dá)1024Gb,所以2TB容量只需4顆4die封裝的閃存顆粒。
PS5021-E21T是群聯(lián)推出的第二代主流級PCIe4.0主控,在英睿達(dá)P3當(dāng)中,PS5021-E21T主控降至PCIe3.0使用。相比上代PS5019-E19T,新主控從28納米升級至12納米,制程工藝達(dá)到和PCIe 4.0八通道旗艦級主控相同的水平,有助于降低功耗減少發(fā)熱。
英睿達(dá)P3提供從500GB到4TB四種容量選項(xiàng),均為5年保修,本次評測的是2TB版本。
測試平臺和軟件信息:
測試平臺:
CPU: AMDRyzen 9 5900X
主板: GigabyteX570 AORUSELITEWIFI
內(nèi)存: DDR4-3000 8Gx2
硬盤: CrucialP5 Plus1TB(OS)
Crucial P3 2TB
系統(tǒng): Windows 11 22H2
驅(qū)動(dòng): stornvme
CrystalDiskInfo信息識別:
CDI能夠識別NVMe固態(tài)硬盤的傳輸模式和標(biāo)準(zhǔn)SMART健康信息。
除了CrystalDiskInfo之外,也可以使用StorageExecutive來查看英睿達(dá)P3的健康狀態(tài)。官方工具箱軟件還支持固件檢測和升級等維護(hù)功能。
工具箱提供的SMART信息比CrystalDiskInfo更全面,基本上相當(dāng)于加上了smartmontools后的結(jié)果,能夠查看SSD溫度管理記錄(過熱事件出現(xiàn)次數(shù)和持續(xù)時(shí)間等)。
HWiNFO64識別信息顯示,英睿達(dá)P3支持512字節(jié)PCIeMPS,因而可以在AMD銳龍平臺上發(fā)揮出3600MB/s以上的讀取性能。
FlashID工具正確識別出群聯(lián)PS5021-E21主控及美光176層堆疊3DQLC閃存(N48R),閃存I/O接口速度為1600MT/s,也就是說理論上它具備做成P3 Plus、實(shí)現(xiàn)5000MB/s順序讀取的硬件條件。
此外,固件預(yù)設(shè)信息顯示閃存具有1100次QLC擦寫壽命和6萬次SLC模式擦寫壽命,如果按5倍寫放大來算的話正好能和440TBW的標(biāo)稱寫入耐久度對應(yīng)。需要說明的是SSD產(chǎn)品的TBW保修限制是按主機(jī)寫入量來計(jì)算的,跟閃存擦寫次數(shù)無關(guān),多數(shù)NVMe SSD也不提供具體的閃存擦寫循環(huán)計(jì)數(shù)信息。
基準(zhǔn)測試:
基準(zhǔn)測試項(xiàng)目1: 理論帶寬測試
通過CrystalDiskMark可以測試SSD的理論讀寫性能。英睿達(dá)P3 2TB實(shí)測順序讀寫3675/3271 MB/s,高于標(biāo)稱值的3500/3000 MB/s;實(shí)測4K隨機(jī)讀寫697K/746KIOPS,高于標(biāo)稱值的650K/700K IOPS。
基準(zhǔn)測試項(xiàng)目2: PCMark 10完整系統(tǒng)盤基準(zhǔn)測試
PCMark 10完整系統(tǒng)盤基準(zhǔn)針對當(dāng)代最新固態(tài)硬盤的廣泛測試,涵蓋了系統(tǒng)開機(jī)啟動(dòng)、Adobe設(shè)計(jì)套件應(yīng)用、Office辦公套件應(yīng)用、圖片/ISO文件拷貝復(fù)制、多個(gè)游戲加載過程等測試內(nèi)容。測試需要至少80GB的硬盤空間,單次測試產(chǎn)生的寫入量達(dá)到204GB,復(fù)雜度超過了PCMark 8存儲測試。
英睿達(dá)P3 2TB在PCMark10完整系統(tǒng)盤基準(zhǔn)測試中獲得2523分,存儲帶寬412.98MB/s,平均存取時(shí)間68微秒,大體上屬于主流級水平。
基準(zhǔn)測試項(xiàng)目3: 3DMark存儲性能測試
3DMark存儲基準(zhǔn)測試涵蓋了戰(zhàn)地5、使命召喚15:黑色行動(dòng)4、守望先鋒三款游戲的啟動(dòng)加載過程、在運(yùn)行守望先鋒的同時(shí)通過OBS記錄1080P游戲視頻、從EPIC平臺安裝天外世界、天外世界游戲進(jìn)度保存以及將Steam游戲反恐精英:全球攻勢從移動(dòng)硬盤拷貝到系統(tǒng)盤的過程,涵蓋了PC游戲玩家所能遇到的方方面面。
英睿達(dá)P3 2TB在3DMark存儲測試中取得2727分,存儲帶寬468.16MB/s,平均存取時(shí)間66微秒,高于同級產(chǎn)品的平均水平。
進(jìn)階測試:
進(jìn)階測試項(xiàng)目1: SLC緩存測試
通過無文件系統(tǒng)條件下的IOMeter寫入測試可以得知,在空盤條件下英睿達(dá)P3 2TB可以提供大約500GB的SLC寫入緩存空間,說明其采用了全盤SLC算法,即利用所有空白閃存空間用于模擬SLC寫入。在SLC緩存用盡后SSD直接進(jìn)入到邊釋放邊寫入狀態(tài),寫入速度大約94MB/s。
在填充50%盤內(nèi)空間之后,英睿達(dá)P32TB的可用SLC緩存空間接近300GB,說明此時(shí)仍為全盤SLC模式,并且SLC緩存的釋放比較積極,對于緩?fù)鈱懭胨俣炔⒉缓每吹腝LCSSD來說,盡全力避免用到緩?fù)庑阅軐ΡＵ嫌脩趔w驗(yàn)是很重要的。
進(jìn)階測試項(xiàng)目2: 溫度壓力測試
溫度壓力測試在室溫22度、被動(dòng)散熱條件下進(jìn)行。通過IOMeter對英睿達(dá)P3 2TB進(jìn)行8GB范圍128KBQD32順序讀取測試,由HWiNFO64每秒記錄速度和溫度數(shù)據(jù)。
在10分鐘的滿載讀取測試過程中,英睿達(dá)P3的默認(rèn)溫度(通常是閃存溫度)最高達(dá)到67度,溫度2(通常是主控溫度)最高達(dá)到87度,綜合每秒速度記錄數(shù)據(jù)和StorageExecutive工具箱檢測結(jié)果,可以確認(rèn)整個(gè)溫度壓力測試過程中未出現(xiàn)過熱限速的情況。群聯(lián)PS5021-E21T主控的溫度表現(xiàn)確實(shí)不錯(cuò),PCIe 3.0接口在功耗方面也有一定優(yōu)勢,英睿達(dá)P3滿負(fù)荷使用時(shí)也不容易過熱限速。
進(jìn)階測試項(xiàng)目3: 最終幻想14游戲加載
對日常實(shí)際應(yīng)用性能的測試大多因?yàn)镾LC緩存的影響而無法直接體現(xiàn)出真實(shí)的讀取性能。為此我們結(jié)合最終幻想14 Benchmark和IOMeter填盤手段,分別測試有持久SLC緩存影響的游戲加載時(shí)間和排除SLC緩存干擾的純TLC/QLC加載時(shí)間。
在有SLC緩存影響的情況(如剛剛安裝寫入的游戲)下,英睿達(dá)P3 2TB的游戲加載成績?yōu)?.906秒。排除SLC緩存影響后(日常實(shí)際使用),英睿達(dá)P3 2TB的游戲加載成績?yōu)?2.777秒,屬于QLC閃存SSD的正常表現(xiàn)。
總結(jié):
作為一款入門級的NVMe SSD,英睿達(dá)P3采用了和更高階P3 Plus相同的主控和閃存硬件,在能效表現(xiàn)上尤為出色。2TB容量的英睿達(dá)P3在12.12期間只需799元,它既可以作為大容量系統(tǒng)盤給PCIe3.0老機(jī)型升級擴(kuò)容,也可以在高端平臺作為大容量數(shù)據(jù)盤和PCIe4.0 SSD搭配使用,具備不錯(cuò)的單位容量價(jià)格和靈活性。(來源:PCeva)
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