臺積電2nm工藝有望2023年風險試產(chǎn) 次年大規(guī)模投產(chǎn)

9月25日消息，據(jù)國外媒體報道，今年一季度順利量產(chǎn)5nm工藝的臺積電，正在研發(fā)更先進的3nm和2nm芯片制程工藝，3nm工藝是計劃在明年風險試產(chǎn)，2022年下半年大規(guī)模投產(chǎn)。

3nm工藝投產(chǎn)之后，臺積電下一步將投產(chǎn)的就將是2nm工藝，在2019年的年報中，臺積電首次披露他們在研發(fā)2nm工藝。

在本周早些時候的報道中，外媒稱臺積電2nm工藝的研發(fā)已取得重大進展，研發(fā)進入了高級階段，先于他們的計劃。

在量產(chǎn)時間方面，外媒在報道中指出，臺積電對2nm工藝在2023年年底的風險試產(chǎn)良品率達到90%非常樂觀。外媒根據(jù)目前的研發(fā)進展推測，臺積電的2nm工藝將在2023年風險試產(chǎn)，2024年大規(guī)模投產(chǎn)。

臺積電的2nm工藝若如外媒報道的那樣在2023年風險試產(chǎn)、隨后一年大規(guī)模投產(chǎn)，也就意味著他們?nèi)詫⒈３謨赡晖懂a(chǎn)一代新工藝的節(jié)奏。臺積電的7nm工藝是在2018年的4月份大規(guī)模投產(chǎn)的，5nm工藝在今年一季度投產(chǎn)，中間相隔約兩年；5nm之后的3nm工藝，計劃在2021年風險試產(chǎn)、2022年下半年大規(guī)模投產(chǎn)，雖然距5nm工藝大規(guī)模投產(chǎn)的時間間隔超過兩年，但量產(chǎn)時間大概率會提前，屆時間隔預計也在兩年左右。

對于臺積電的2nm工藝，外媒此前曾報道稱將會采用環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)（GAA），不會繼續(xù)采用鰭式場效應(yīng)晶體管技術(shù)。

2nm工藝在2023年開始風險試產(chǎn)，也就意味著臺積電需要開始謀劃利用2nm工藝生產(chǎn)芯片的工廠。對于工廠，外媒在上周的報道中曾提到，臺積電負責營運組織的資深副總經(jīng)理秦永沛，透露他們計劃在新竹建設(shè)2nm工藝的芯片生產(chǎn)工廠，建設(shè)工廠所需的土地已經(jīng)獲得。臺積電董事長劉德音目前也透露，他們可能會擴建位于臺中的晶圓十五廠，以增加2nm工藝的產(chǎn)能。

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