智己汽車因標(biāo)注錯(cuò)誤發(fā)致歉函 但致歉函中也有錯(cuò)誤

TechWeb 文 / 新喀鴉

在近日的智己L6超級(jí)智能轎車發(fā)布會(huì)上，智己在介紹L6時(shí)將“智己L6超強(qiáng)性能版”與“小米SU7 Max”進(jìn)行對(duì)比。智己錯(cuò)誤地將小米SU7 Max的電機(jī)參數(shù)標(biāo)注為“前IGBT后SiC”（實(shí)際前后均為SiC）。

對(duì)于此問(wèn)題，智己汽車科技有限公司聯(lián)席CEO劉濤以及智己汽車官方均發(fā)布了致歉聲明。

兩次致歉

第一次致歉是智己汽車聯(lián)席CEO劉濤在微博上發(fā)布的致歉聲明。

智己汽車聯(lián)席CEO劉濤稱：“由于產(chǎn)品信息的調(diào)研結(jié)果有誤，發(fā)布會(huì)上有一處信息錯(cuò)誤。

小米SU7跟智己L6一樣，都是前后電機(jī)都使用SIC碳化硅模塊，小米SU7確實(shí)是我們非常尊敬的競(jìng)爭(zhēng)隊(duì)友！

在此，我誠(chéng)摯地向小米汽車和大家致歉?！?/p>

對(duì)于這樣的致歉聲明，小米公司并不買(mǎi)賬。小米公司表示：我們不接受個(gè)人輕描淡寫(xiě)的非正式的道歉。我們?cè)俅味卮僦羌汗?，立即公開(kāi)澄清，并向被其誤導(dǎo)的公眾正式道歉！

需要注意的是，智己汽車聯(lián)席CEO劉濤在本次致歉中將“SiC”（碳化硅）錯(cuò)誤地寫(xiě)成了“SIC”。不過(guò)畢竟這是“個(gè)人輕描淡寫(xiě)的非正式的道歉”，有些錯(cuò)誤和筆誤似乎也可以理解。

在第二次致歉中，智己汽車官方發(fā)布了正式的“致歉函”。

在致歉函中，智己汽車稱：“在剛剛結(jié)束的「超越一切向往」智己L6超級(jí)智能轎車發(fā)布會(huì)過(guò)程中，對(duì)標(biāo)近期同級(jí)流量熱議的小米SU7產(chǎn)品力介紹過(guò)程中，由于團(tuán)隊(duì)內(nèi)容審核疏漏，造成一處關(guān)鍵參數(shù)的錯(cuò)誤標(biāo)注，澄清如下：

小米SU7 Max版前后電機(jī)均采用SIC碳化硅模塊，與智己L6所采用的技術(shù)一致，均為行業(yè)頂尖的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。

小米汽車及旗下產(chǎn)品SU7，是我們尊敬的競(jìng)爭(zhēng)隊(duì)友！由于內(nèi)審出現(xiàn)疏漏，造成對(duì)小米汽車的負(fù)面影響，我們深表歉意，也向所有粉絲、用戶們誠(chéng)摯致歉！”

相信大家不難發(fā)現(xiàn)，在這篇蓋有“智己汽車科技有限公司公關(guān)部”公章的致歉函中，智己汽車依舊把“SiC”（碳化硅）錯(cuò)誤地寫(xiě)成了“SIC”。如果說(shuō)前面聯(lián)席CEO劉濤發(fā)布的“個(gè)人致歉聲明”中寫(xiě)錯(cuò)算筆誤的話，但這種蓋有公章的文件也寫(xiě)錯(cuò)就確實(shí)有點(diǎn)不應(yīng)該了。

截至發(fā)稿時(shí)，相關(guān)錯(cuò)誤已被官方修正。

初中化學(xué)錯(cuò)誤

隨著技術(shù)的日新月異，科技領(lǐng)域不斷孕育出眾多專業(yè)術(shù)語(yǔ)，這無(wú)疑為非本專業(yè)人士在撰寫(xiě)相關(guān)文章時(shí)帶來(lái)了不小的挑戰(zhàn)。他們?cè)趪L試運(yùn)用這些術(shù)語(yǔ)時(shí)，偶爾出現(xiàn)誤用或誤解的情況也是情有可原的。

不過(guò)應(yīng)該有不少接受過(guò)九年義務(wù)教育的朋友已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了，智己汽車在致歉函中的錯(cuò)誤屬于“初中化學(xué)錯(cuò)誤”。

以2019-2020學(xué)年初中化學(xué)《物質(zhì)構(gòu)成的奧秘》專項(xiàng)訓(xùn)練模擬測(cè)試中的某題為例，該題的第五小問(wèn)為：“已知碳化硅中碳元素顯-4價(jià)，硅元素顯+4價(jià)，碳化硅的化學(xué)式為_(kāi)_________．”

由此我們不難看出，正確書(shū)寫(xiě)碳化硅的化學(xué)式是初中化學(xué)的基本要求。

另外以2023屆江西省九江市修水縣九年級(jí)化學(xué)第一學(xué)期期末統(tǒng)考試中的某題為例：

華為公司致力于核心技術(shù)的研發(fā)，其自主研制的芯片已達(dá)到世界領(lǐng)先水平。該芯片的主要材料是高純度的單質(zhì)硅，其結(jié)構(gòu)類似于金剛石。下列有關(guān)硅的說(shuō)法正確的是

A.元素符號(hào)為SI

B.屬于非金屬元素

C.硅是地殼中含量最多的元素

D.單質(zhì)硅由分子構(gòu)成

其中A選項(xiàng)由于硅元素符號(hào)為Si，故說(shuō)法錯(cuò)誤。

由于該選擇題屬于“簡(jiǎn)單題”，所以我們可以相信大多數(shù)初中考生不會(huì)將“Si”（硅）錯(cuò)誤地寫(xiě)成“SI”。同理，也不會(huì)將“SiC”（碳化硅）錯(cuò)誤地寫(xiě)成了“SIC”。

小米汽車產(chǎn)品經(jīng)理評(píng)價(jià)：請(qǐng)學(xué)習(xí)并尊重技術(shù)

在新浪微博上，小米汽車產(chǎn)品經(jīng)理 @潘曉曉曉曉曉曉曉雯 發(fā)文表示；“碳化硅怎么寫(xiě)：SiC，請(qǐng)學(xué)習(xí)并尊重技術(shù)?！?/p>

她還向網(wǎng)友表示：“我們常說(shuō)的IGBT/SiC是指代電驅(qū)控制器中的功率模塊。是由一到多組功率芯片并聯(lián)組成的開(kāi)關(guān)電路。有以Si為材料IGBT構(gòu)型的芯片，有以SiC為材料MOSFET為構(gòu)型的芯片（對(duì)，IGBT是構(gòu)型，SiC是指芯片材料）。

功率模塊負(fù)責(zé)將電池的直流電轉(zhuǎn)化為交流電驅(qū)動(dòng)電機(jī)，重要程度可想而知。SiC MOSFET相比Si IGBT幾乎沒(méi)有開(kāi)關(guān)損耗。

因?yàn)镾iC的制造工藝難度高，得片率、良品率低，導(dǎo)致SiC相比于Si，價(jià)格還在2～5倍。

這個(gè)配置非常昂貴，我們天天拉著工程師拆解技術(shù)。只有對(duì)它的原理、作用、發(fā)展趨勢(shì)都要了解，才能做出正確的取舍。”

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