臺(tái)積電3nm制程工藝量產(chǎn)計(jì)劃較三星電子晚近半年

12月26日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)近一年之后，晶圓代工商臺(tái)積電的3nm制程工藝，也即將開(kāi)始商業(yè)化量產(chǎn)。

從相關(guān)的報(bào)道來(lái)看，臺(tái)積電計(jì)劃29日在晶圓十八廠舉行儀式，3nm制程工藝屆時(shí)將正式開(kāi)始商業(yè)化量產(chǎn)。

作為臺(tái)積電旗下6座12英寸超大晶圓廠之一的晶圓十八廠，一期是在2018年的1月份正式動(dòng)工建設(shè)的，建成之后用于5nm制程工藝的量產(chǎn)，因而這一晶圓廠也是臺(tái)積電5nm制程工藝的主要生產(chǎn)基地。

而隨著3nm制程工藝的商業(yè)化量產(chǎn)，未來(lái)一段時(shí)間晶圓十八廠就將是臺(tái)積電先進(jìn)制程工藝的主要生產(chǎn)基地，也將是他們主要的營(yíng)收來(lái)源。

臺(tái)積電的3nm制程工藝在本月29日開(kāi)始商業(yè)化量產(chǎn)，也就意味著他們的這一先進(jìn)制程工藝，在量產(chǎn)的時(shí)間上較競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星電子晚了近半年。

在3nm制程工藝上，臺(tái)積電和三星電子是不同的路線，三星電子率先采用全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)，臺(tái)積電則是繼續(xù)采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）架構(gòu)。三星電子在6月30日，就已開(kāi)始采用3nm制程工藝為相關(guān)的客戶(hù)代工晶圓，首批產(chǎn)品在7月25日就已出貨。

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