臺積電2納米芯片性能提升僅15%，知情人士稱試產(chǎn)良率超過60%

極客網(wǎng)·芯片12月20日 臺積電正在優(yōu)化下一代芯片制程N(yùn)2，也就是2納米芯片。從最近泄露的信息看，N2的能效和密度的確優(yōu)于N3，但可能提升的幅度沒有那么大。

不論怎樣，如果單看GPU，至少還有2代的進(jìn)步空間。目前GPU采用的是N5制程。照估計，AMD、英偉達(dá)都會向N3挺進(jìn)，然后是N2；至于英特爾，不知道，因?yàn)樗芪ｋU，可能退出GPU競爭。也就是說，如果單看制程，未來一段時間仍然會有不錯的進(jìn)步。

有傳聞稱，不論是AMD還是英偉達(dá)下一代GPU芯片，包括英偉達(dá)RTX 5090和Blackwell，未來一段時間會繼續(xù)使用5nm加強(qiáng)版（N5P）制程，實(shí)際上相當(dāng)于N4。

臺積電稱N2性能相比N3提升15%

按照臺積電的說法，N2的性能相比N3提升15%，也就是說在相同體積內(nèi)植入的晶體管增加15%。

這聽起來不錯，有兩點(diǎn)需要注意。首先，N2雖然相比N3只提升了15%，但相比N5和N4提升巨大。其次，臺積電聲稱N2的SRAM密度有提升。實(shí)際上，SARM方面的提升已經(jīng)遇到瓶頸，臺積電說過N3相比N5沒有進(jìn)步，但N2會帶來驚喜。N2的密度為38Mb/mm^2，N3為33.55 Mb/mm^2。

在大多芯片上，SRAM占據(jù)了很大的空間，無法縮小SRAM已經(jīng)成為一個需要解決的難題，N2能在SARM方面取得進(jìn)步，這的確是個好消息。

然后就是效率。臺積電稱，N3制程的能效提升25-30%。也就是說，同樣的性能能耗會減少，相同的能則耗性能會更強(qiáng)。

如果進(jìn)展順利，N2芯片會在明年下半年開始零售，極有可能會出現(xiàn)在蘋果產(chǎn)品上。

如果是PC，不論是AMD還是英偉達(dá)產(chǎn)品，在未來一段時間仍會使用5nm加強(qiáng)版（N5P）制程。照預(yù)計，它們的產(chǎn)品會在2027年進(jìn)入N3，2029年進(jìn)入N2，至少要到2031年年初才能真正買到。

知情者稱臺積電2納米試產(chǎn)良率超60%

知情者透露，臺積電2納米試產(chǎn)良率超過60%，高于預(yù)期，明年會量產(chǎn)。但英特爾前CEO Pat Gelsinger認(rèn)為，用良率這一指標(biāo)來衡量不太準(zhǔn)確，因?yàn)榇蟮木A良率低，小的良率高。也就是說，臺積電的所說的良率只能作為參考。

目前全球約有99%的AI芯片都由臺積電生產(chǎn)，3納米需求仍然旺盛，2納米對AI客戶更有吸引力。

再看對手英特爾，它的18A生產(chǎn)線似乎遇到麻煩，良率不到10%。當(dāng)然，Pat Gelsinger曾駁斥了這種說法。

韓國媒體報道稱，明年三星和臺積電的2納米芯片會進(jìn)入量產(chǎn)，但臺積電占據(jù)上風(fēng)，它已經(jīng)公布詳細(xì)的試產(chǎn)時間表，而且正在積極擴(kuò)充產(chǎn)能。蘋果是臺積電的重要客戶，它會率先采用2納米技術(shù)，AMD和英偉達(dá)隨后入場。

產(chǎn)業(yè)人士認(rèn)為，明年4月臺積電會試產(chǎn)2納米芯片，大規(guī)模量產(chǎn)要等到下半年。業(yè)界普遍認(rèn)為，最先引入2納米芯片的會是iPhone。明年下半年三星電子也會試生產(chǎn)，大規(guī)模量產(chǎn)要等到四季度。

雖然2納米帶來一些提升，但研發(fā)成本、設(shè)計復(fù)雜度也在增加。2納米涉及到更精密的焊接技術(shù)、更出色的晶圓平整度、更好的原子層沉積(ALD) 技術(shù)，大多用來制造3納米芯片的設(shè)備都需要更換或者調(diào)校。2納米晶圓每塊約為3萬美元，相當(dāng)于4納米、5納米晶圓的2倍。

臺積電董事長劉德音說：“2納米技術(shù)的需求已經(jīng)超出供給，超過了3納米的需求?！蹦壳芭_積電正在努力擴(kuò)大產(chǎn)能。在早期階段，臺積電的目標(biāo)是每個月生產(chǎn)50000塊2納米晶圓。

在3納米GAA方面，三星電子遭遇挫折，它正在努力恢復(fù)元?dú)?。進(jìn)入2納米賽場，三星電子希望能優(yōu)化生產(chǎn)效率、鞏固市場地位。年初時，三星電子與日本AI創(chuàng)業(yè)公司Preferred Networks簽署合同，幫它生產(chǎn)2納米AI芯片。（小刀）

生成海報

免責(zé)聲明：本網(wǎng)站內(nèi)容主要來自原創(chuàng)、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿，凡在本網(wǎng)站出現(xiàn)的信息，均僅供參考。本網(wǎng)站將盡力確保所提供信息的準(zhǔn)確性及可靠性，但不保證有關(guān)資料的準(zhǔn)確性及可靠性，讀者在使用前請進(jìn)一步核實(shí)，并對任何自主決定的行為負(fù)責(zé)。本網(wǎng)站對有關(guān)資料所引致的錯誤、不確或遺漏，概不負(fù)任何法律責(zé)任。任何單位或個人認(rèn)為本網(wǎng)站中的網(wǎng)頁或鏈接內(nèi)容可能涉嫌侵犯其知識產(chǎn)權(quán)或存在不實(shí)內(nèi)容時，應(yīng)及時向本網(wǎng)站提出書面權(quán)利通知或不實(shí)情況說明，并提供身份證明、權(quán)屬證明及詳細(xì)侵權(quán)或不實(shí)情況證明。本網(wǎng)站在收到上述法律文件后，將會依法盡快聯(lián)系相關(guān)文章源頭核實(shí)，溝通刪除相關(guān)內(nèi)容或斷開相關(guān)鏈接。